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元件價(jià)格走勢(shì)更新，商品IC供應(yīng)保持緊張
這是指在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái)，庫(kù)存將保持精簡(jiǎn)。許多供應(yīng)商對(duì)于目前的庫(kù)存水平感到非常滿意，盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應(yīng)鏈節(jié)點(diǎn)庫(kù)存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(wù)(EMS)提供商的庫(kù)存出現(xiàn)增長(zhǎng)。
2010-03-12
元件 價(jià)格 走勢(shì) IC供應(yīng) 緊張
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iSuppli預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)2797億美元
據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2797億美元，雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%，但與2008年的2589億美元相比僅增長(zhǎng)8%，而與2007年的2734億美元相比，增長(zhǎng)率只有區(qū)區(qū)的2.3%。
2010-03-12
iSuppli 半導(dǎo)體 營(yíng)業(yè)收入 反彈
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Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC
由于采用全新的多周期調(diào)制模式，使得電源在空載條件下具有出色的輕載效率和低功耗，既可降低平均開(kāi)關(guān)頻率，又可減小輸出紋波和音頻噪聲。因此，設(shè)計(jì)出的電源不僅可以輕松滿足包括ENERGY STAR?和歐盟委員會(huì)用能產(chǎn)品生態(tài)設(shè)計(jì)指令在內(nèi)的要求嚴(yán)格的最新能效規(guī)范，同時(shí)還可維持穩(wěn)定的輸出電壓。使用TOPSw...
2010-03-11
Power Integrations TOPSwitch-JX 電源轉(zhuǎn)換 IC
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飛兆半導(dǎo)體推出帶USB/充電器檢測(cè)功能的便攜應(yīng)用過(guò)電壓保護(hù)器件
FAN3988具備內(nèi)置自動(dòng)檢測(cè)功能，器件通過(guò)連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線，能夠感測(cè)是否連接USB充電器。此外，器件還通過(guò)監(jiān)控VBUS來(lái)感測(cè)過(guò)壓或者欠壓狀況。當(dāng)達(dá)到過(guò)壓閾值時(shí)，F(xiàn)AN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并省去外部電路，節(jié)省了線路板空間。這款新型OVP器件是滿足...
2010-03-11
飛兆 USB/充電器 便攜 過(guò)電壓 保護(hù)器件
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從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)
在電子制作過(guò)程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對(duì)人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無(wú)鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無(wú)鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎(chǔ) 無(wú)鉛焊接 焊接工藝 技術(shù) 測(cè)試工作坊
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ARM Cortex-M3內(nèi)核MCU又添新兵，初創(chuàng)公司主打超低功耗應(yīng)用
采用Cortex-M3內(nèi)核的MCU廠商通常關(guān)注以下幾點(diǎn)特性：更低的功耗，更高的運(yùn)算能力，更低的價(jià)格，更多的外設(shè)。日前，一家來(lái)自挪威的初創(chuàng)公司Energy Micro就主打低功耗特性，發(fā)布了新的Cortex-M3內(nèi)核MCU產(chǎn)品系列。
2010-03-11
Cortex-M3 Energy Micro MCU
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分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)
Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。
2010-03-10
半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)
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恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級(jí)器件
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