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產(chǎn)品特性：

• 雙通道N溝道
• 帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)
• 帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V，280mA的MOSFET

應(yīng)用范圍：

• 適用于電池供電的便攜式電子產(chǎn)品

CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V，280mA的MOSFET，在每個(gè)器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時(shí)是3.0歐姆。

這種MOSFET的封裝采用外形尺寸為0.6mm的表面貼裝SOT-563外殼。這種封裝占用的電路板空間要比SOT-23減少62%，它適用于電池供電的便攜式電子產(chǎn)品，如手機(jī)/智能手機(jī)，MP3音樂播放器，醫(yī)學(xué)檢驗(yàn)設(shè)備，條形碼掃描器，PDA和筆記本電腦。