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REACH法規(guī)新增15種SVHC物質(zhì)
2009年12月7日,ECHA成員國委員會達(dá)成一致意見,將另外15種物質(zhì)列入REACH高度關(guān)注物質(zhì)(SVHC)候選清單。預(yù)計(jì)ECHA將在2010年1月份正式采納此決定,并將這15種物質(zhì)正式列入SVHC候選清單,屆時(shí)SVHC候選清單將增至30種物質(zhì)。
2010-03-17
REACH 法規(guī) 15種 SVHC物質(zhì) 測試標(biāo)準(zhǔn)
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LED路燈是否應(yīng)該廣泛推廣成熱話題
東莞國際會展大酒店舉行的“2010年中國道路照明論壇”會議上,記者發(fā)現(xiàn),大約有80%的演講報(bào)告與LED路燈有關(guān)。2010年“十城萬盞”工作也進(jìn)入了重要的實(shí)施階段,21個(gè)試點(diǎn)城市之外的地方政府仍然十分積極的申請加入試點(diǎn)城市……
2010-03-17
LED LED路燈 道路照明
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上海光宇睿芯:打造本土分立器件巨頭
上海光宇睿芯微電子有限公司(Sino-IC)日前在深圳舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會,除了發(fā)布了一系列新的產(chǎn)品線,還介紹了公司產(chǎn)品市場策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露:“在2009年,我們還是一家以過壓保護(hù)器件為主的廠商,從今年起我們將產(chǎn)品線擴(kuò)展到各種分立器件,我們的最終目標(biāo)是打造成像On Semi、Visha...
2010-03-17
Sino-IC LED 傳感器
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電子信息產(chǎn)業(yè):加快調(diào)整 搶占高端
電子信息產(chǎn)業(yè)是受國際金融危機(jī)影響較大的行業(yè),通過貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃,正逐步復(fù)蘇,走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出,大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè),加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用,這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。
2010-03-17
電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布,通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河,是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù),經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝,完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施,可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下,敝社以往的產(chǎn)品在裝載時(shí),基板與脈沖變壓器是先通過手動(dòng)方式進(jìn)行配線處理。然后,為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品,可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說,在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢,即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動(dòng)的,消費(fèi)者是真正的推動(dòng)力?,F(xiàn)在半導(dǎo)體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備,比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品,才能促...
2010-03-15
應(yīng)用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2m?,顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
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