產品特性：
- 提供高效率高功率密度
- 大電流處理能力
- 過熱報警功能防止過熱狀況
- 可兼容市場上的多種PWM控制器
應用范圍：
- 刀片服務器/高性能游戲主板/高性能筆記本電腦/顯卡/大電流DC-DC負載點轉換器
高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設計人員選擇用于電壓調節(jié)器解決方案的元件的至關重要的因素，為了滿足這一需求。Generation II XS DrMOS (集成式驅動器 + MOSFET)系列器件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求。
飛兆半導體(Fairchild)開發(fā)的Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統(tǒng)效率，在12Vin、1Vout和25A條件下重負載效率高于91.5%，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz開關頻率下運作，并具有最高50A的電流處理能力。
飛兆半導體利用其在的MOSFET、柵極驅動器IC和封裝技術方面的技術專長，對Generation II XS DrMOS器件進行優(yōu)化，實現更高的效率并開發(fā)新的功能。這些技術提升使得Generation II XS DrMOS系列器件成為刀片服務器、高性能游戲主板、高性能筆記本電腦、顯卡，以及大電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。
Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三態(tài)電平以匹配Intel 4.0 DrMOS規(guī)范，并可兼容市場上的多種PWM控制器。這些器件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench MOSFET屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步FET還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩沖器電路，提高總體性能和功率密度，同時減少占用空間和成本。Generation II XS DrMOS器件還可以為客戶加入一項過熱報警功能，可在故障期間防止出現過熱狀況。
Generation II XS DrMOS產品系列能夠滿足不同客戶和應用需求。
飛兆半導體Generation II XS DrMOS系列器件提供業(yè)界領先技術，以應對現今電子設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應用中實現最大節(jié)能。
