新聞事件：
- Vishay 25日舉辦了西部電子論壇的演講——西安Vishay 技術(shù)專場講座
事件影響：
- 講解新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計
知名分立器件和被動元件供應(yīng)商Vishay 于25日在曲江國際大酒店舉辦了在西部電子論壇的第二站演講——西安Vishay 技術(shù)專場講座，會議集電源管理、二極管與功率模塊、電容、光耦四場技術(shù)演講，全面講解了新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計。
FRED PT超快恢復二極管及晶閘管(SCR)可應(yīng)用于不同類型的太陽能逆變器(solar inverter)中，使用之后可提升PFC的效率，最終提升整個逆變器的效率，而在在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用中則可以使用高壓大功率二極管，晶閘管及IGBT模塊等產(chǎn)品。
圖1 FRED PT性能的折中與應(yīng)用
光電耦合器可以大大提高現(xiàn)有系統(tǒng)的性能，并提供從致命的電壓等級的安全隔離。將光耦合器集成到現(xiàn)有的設(shè)計中是滿足大多數(shù)國家的基本的設(shè)計要求。耦合器必須滿足國家和國際機構(gòu)的各種隔離要求。圖2是Vishay的光隔離器件，圖3為Vishay提供的VO3120是光隔離 IGBT/MOSFET驅(qū)動器，驅(qū)動能力達1200V /50A，傳播延遲小于400ns，1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV/us。
圖2 VO3120光隔離 IGBT驅(qū)動器
圖3 Vishay的光隔離器件性能比較[page]
MOSFET是逆變器/變流器控制開關(guān)，在新能源應(yīng)用中占據(jù)了重要位置，在技術(shù)專場里， Vishay給我們帶來了包括高壓、低壓、中壓在內(nèi)的MOSFET新工藝及其在UPS(不間斷電源)、通訊、新能源應(yīng)用與建議。
圖4 Vishay MOSFET新工藝
在光伏逆變器和風電變流器中，DC-link薄膜電容可用作穩(wěn)壓濾波，預(yù)期壽命大于15年，具有更低的損耗，更好的穩(wěn)定性，而且用4～6薄膜電容 MKP1848/9就能替換掉采用60～80個電解電容器的老式設(shè)計；101/102 PHR-ST非常適合高功率開關(guān)轉(zhuǎn)換器中的直流母線電容器和脈沖電源應(yīng)用中的能量儲存。除新能源領(lǐng)域外，Vishay還給我們帶來了高可靠鉭電、高可靠MLCC在軍工、逆變器、列車牽引機等一些領(lǐng)域上的應(yīng)用與選型。
圖5 Vishay 主推電容器
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