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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號(hào)？
在電磁流量計(jì)和生物電測(cè)量等應(yīng)用中，小差分信號(hào)與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會(huì)限制電路在前端設(shè)計(jì)中可以獲得的增益，進(jìn)而影響整體動(dòng)態(tài)范圍。當(dāng)使用較低電源電壓時(shí)，例如在電池供電的信號(hào)鏈中，增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個(gè)大差分偏移問題的一種方案是使用交流耦合測(cè)量信號(hào)鏈。典型的交流...
2022-10-21
儀表放大器 直流偏移 電磁流量計(jì)
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可實(shí)現(xiàn)高可靠性的5G宏基站設(shè)計(jì)
在任何通信系統(tǒng)中，停機(jī)時(shí)間都是不可接受的，這當(dāng)然包括新的5G手機(jī)通信系統(tǒng)。獲得高可靠性通常需要5G宏基站對(duì)電力線浪涌和電氣干擾（例如雷電引起的瞬變和其它瞬變和過載）具有魯棒性。
2022-10-20
通信系統(tǒng) 5G宏基站
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瑞薩電子完成對(duì)Steradian的收購(gòu)
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對(duì)提供4D成像雷達(dá)解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購(gòu)。
2022-10-18
瑞薩電子 Steradian 汽車?yán)走_(dá)
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ADI和Keysight Technologies強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手 共推相控陣技術(shù)加速部署
中國(guó)，北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作，共同加速相控陣技術(shù)的推廣與部署。相控陣技術(shù)能夠簡(jiǎn)化與創(chuàng)建衛(wèi)星通信、雷達(dá)和相控陣系統(tǒng)相關(guān)的開發(fā)工作，是實(shí)現(xiàn)無處不在的連接和泛在檢測(cè)的關(guān)鍵。
2022-10-18
ADI Keysight 相控陣
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用于5G的射頻濾波器、其制造挑戰(zhàn)和解決方案
在這篇文章中，我們將探討射頻濾波器是如何工作的，為什么它們?nèi)绱酥匾?，芯片制造商在制造蜂窩器件時(shí)面臨的挑戰(zhàn)，以及泛林如何幫助解決這些問題。
2022-10-17
5G 射頻濾波器
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NFC芯片市場(chǎng)空間巨大，如何把握產(chǎn)業(yè)向好機(jī)會(huì)？
“我感覺手機(jī)上最雞肋的功能就是NFC了，早年間，只要適配NFC功能的卡片見啥都給你匹配了，銀行卡、交通卡、飯卡被無區(qū)別對(duì)待，帶來了很多你充卡我付費(fèi)的問題。政策出臺(tái)后，手機(jī)系統(tǒng)全部打上補(bǔ)丁，但凡是帶有金融加密屬性的卡片都不得復(fù)制，都不得在手機(jī)上使用。目前，除了坐公交、坐地鐵外，NFC功能...
2022-10-17
NFC 芯片 市場(chǎng)
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衛(wèi)星通信的頻率為什么那么高？
為什么衛(wèi)星離地面這么遠(yuǎn)，卻很少采用低頻通信？為什么大多數(shù)衛(wèi)星的通信頻率高達(dá)5GHz~40GHz卻可以傳輸3.6萬公里的超遠(yuǎn)距離？要解開這個(gè)疑問，我們需要了解以下5個(gè)方面的知識(shí)。
2022-10-14
衛(wèi)星通信 頻率
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當(dāng)設(shè)計(jì)物理層調(diào)制解調(diào)器時(shí)，如何滿足AISG v3.0標(biāo)準(zhǔn)要求
過去十年來，蜂窩網(wǎng)絡(luò)和手機(jī)的普及導(dǎo)致對(duì)支持移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施的電子產(chǎn)品需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。同時(shí)對(duì)更高帶寬的需求也在推動(dòng)網(wǎng)絡(luò)提供商不斷擴(kuò)大覆蓋范圍，同時(shí)增加蜂窩密度；反過來，這也促進(jìn)了對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施硬件的需求。
2022-10-14
調(diào)制解調(diào)器 AISG v3.0標(biāo)準(zhǔn)
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高功率GaN RF放大器的熱考慮因素
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的...
2022-10-13
GaN RF放大器
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