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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象，原因如下：VSC具有較低的系統(tǒng)成本，因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡(jiǎn)單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng)，更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控制AC側(cè)的有功和無功功率。VSC不像LCC那樣依賴于AC網(wǎng)絡(luò)，因此它們可以向無源負(fù)載供電并具有黑啟動(dòng)能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進(jìn)行晶閘管所需的換流操作，并可實(shí)現(xiàn)雙向電流流動(dòng)。
2021-07-08
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用NTC為功率模塊做溫控效果如何？
溫度控制是 MOSFET 或 IGBT 功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些 MOSFET 配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅 PTC 熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC 熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。
2021-07-04
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什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。
2021-06-10
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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
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瑞能半導(dǎo)體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)
中國(guó)上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會(huì)即將于4月14日至16日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業(yè)展覽，是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會(huì)將匯聚近千家國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計(jì)到應(yīng)用落地的上下游產(chǎn)業(yè)，展示內(nèi)容包括了半導(dǎo)體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車電子及測(cè)試等。
2021-04-08
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IGBT雙脈沖測(cè)試詳解
電源設(shè)備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì)，但開發(fā)過程中，在樣機(jī)測(cè)試階段才能對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)測(cè)。有些公司為保證產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度，僅采取不得已的補(bǔ)救措施，產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設(shè)計(jì)，甚至?xí)o產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就采用IGBT雙脈沖測(cè)試，提前對(duì)硬件電路設(shè)計(jì)進(jìn)行多維度測(cè)試評(píng)估，在保證產(chǎn)品是最優(yōu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，提高產(chǎn)品開發(fā)效率。
2021-02-07
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使用 IGBT模塊簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長(zhǎng)。隨著這種增長(zhǎng)是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，這樣做的成本很高，而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
2020-12-28
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具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
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更高能效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)驅(qū)動(dòng)模塊和開箱即用的電機(jī)開發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅(qū)動(dòng)、泵、暖通空調(diào) (HVAC)、能源轉(zhuǎn)換等各個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)能源的調(diào)制及高效利用。安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高能效、更長(zhǎng)的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵、風(fēng)扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應(yīng)用。
2020-12-09
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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值電流
當(dāng)考慮使用何種柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，一個(gè)常見問題是：驅(qū)動(dòng)器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)中最重要的參數(shù)之一。此指標(biāo)一般被視為決定柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的終極因素。MOSFET/IGBT的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間與柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供的電流有關(guān)，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業(yè)界使用非常普遍，許多柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)的標(biāo)題中包含這一術(shù)語(yǔ)。盡管如此，其定義還是會(huì)因器件而異。本文討論為特定應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)使用峰值電流作為決定性因素的問題，并比較數(shù)據(jù)手冊(cè)中一些較常見的峰值電流表示形式。本文對(duì)標(biāo)題中峰值電流數(shù)值相似的柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了比較，并對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度做了討論。
2020-12-02
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雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可，把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個(gè)串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負(fù)極接整流橋負(fù)極-，2個(gè)串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸出端得到正負(fù)20伏的雙電源了。
2020-11-26
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GaN基電源性能的簡(jiǎn)易測(cè)試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測(cè)量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對(duì)于基于GaN的設(shè)計(jì)來說是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測(cè)量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨(dú)特特性測(cè)量交叉導(dǎo)通的簡(jiǎn)單而經(jīng)濟(jì)的方法。
2020-11-03
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇
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