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高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹
本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護(hù)的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對(duì)高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動(dòng)作后的恢復(fù)特性。
2008-10-23
高分子PTC熱敏電阻 過流保護(hù) 環(huán)境影響
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時(shí)域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時(shí)域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測(cè)試工具 TLP
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高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題，包括：隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時(shí)間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長(zhǎng)期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進(jìn)行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護(hù)二極管都有相同的保護(hù)效果？
本文針對(duì)目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護(hù)器件得出安森美的保護(hù)器件更具競(jìng)爭(zhēng)性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護(hù)二極管 箝位電壓
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過壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護(hù) 電路 MOSFET
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印制電路板上的電磁干擾及抑制
本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計(jì)中電源布線和信號(hào)布線的電磁干擾問題，并提出解決途徑：抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號(hào)布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號(hào)線之間的距離，減小信號(hào)線與地之間的距離；同時(shí)，設(shè)計(jì)印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...
2008-10-23
印制電路板 電磁干擾 抑制
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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