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SiCMOSFET與SiMOSFET性價比孰高孰低？比比看
SiCMOSFET與SiMOSFET各有其優(yōu)勢，SiMOSFET管的輸出阻抗高，反向耐壓提高，通態(tài)電阻隨之上升，有效限制了高壓場合的應(yīng)用。SiCMOSFET管的阻斷電壓高，工作頻率高，且耐高溫，這兩種MOSFET管隔油器優(yōu)勢特點(diǎn)和應(yīng)用的場合，本文就詳細(xì)講述SiMOSFET管和SiCMOSFET管的性價比哪個高。
2015-10-23
SiC MOSFET 熱導(dǎo)率 切換速率 開關(guān)損耗
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新人須知的防雷壓敏電阻器的諸多作用
防雷壓敏電阻器作為大功率電源產(chǎn)品的必備保護(hù)元件，究竟在平時能起到哪些作用？它與普通的壓敏電阻器相比又有哪些不同呢？作為新人的電子工程師是不是很想知道？
2015-10-22
防雷壓敏電阻器 電路保護(hù)
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故障案例：電位器的故障導(dǎo)致的矩陣鍵盤錯誤問題
本文以一個故障案例為引，為大家介紹了關(guān)于電位器的故障導(dǎo)致的矩陣鍵盤錯誤問題，希望同樣遇到此類問題的朋友能夠根據(jù)本文的思路順利的解決自己遇到的問題。
2015-10-22
電位器 矩陣鍵盤
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技術(shù)經(jīng)驗分享：變壓器空載時合閘電流的動向如何？
本文對變壓器空載時電路中的合閘電流進(jìn)行了詳細(xì)的分析。通過公式分析的方式為大家講解了再變壓器空載合閘瞬間的變化，在掌握其中的的原理之后，即便再出現(xiàn)各種各樣的問題，相信大家也能經(jīng)過思考順利解決。
2015-10-22
變壓器 合閘電流
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設(shè)計負(fù)反饋電路再引入負(fù)反饋時需要掌握哪些原則
通常在放大電路中引入負(fù)反饋的深度越大，則越能改善電路的性能。比如說電路的增益穩(wěn)定性明顯提高。輸出電阻較小、輸入電阻增加、非線性失真減小。本文就講述了設(shè)計負(fù)反饋電路再引入負(fù)反饋時需要掌握哪些原則。
2015-10-22
負(fù)反饋 放大電路
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實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源EMI的技術(shù)都有哪些？大神普及
開關(guān)電源已經(jīng)成為各行各業(yè)不可或缺的功率半導(dǎo)體器件，占據(jù)各個領(lǐng)域的半壁江山。開關(guān)電源集電子電磁技術(shù)、電力電子技術(shù)、自動控制技術(shù)、電力變換技術(shù)于一身。本文就詳細(xì)講述了如何實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源中EMI技術(shù)。
2015-10-22
EMI 控制技術(shù) 開關(guān)電源
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超贊的EMI濾波方案，成功削弱變換器輸出噪聲
在DC-DC變換器的輸出噪聲抑制方法中，哪些EMI濾波方案是比較常見的呢？使用什么類型的輸出紋波衰減器能夠有效削弱輸出噪聲呢？下面就讓我們一起來看一下吧。
2015-10-21
EMI 濾波 變換器 輸出噪聲
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從4大方面講解，LED使用中發(fā)光二極管的注意點(diǎn)
本文從焊接條件、防靜電注意事項、過流保護(hù)、電性測試及產(chǎn)品使用等四個方面來對發(fā)光二極管的注意事項進(jìn)行了較為全面的講解，希望對此類問題有疑問的朋友能夠通過本文得到收獲。
2015-10-21
LED 發(fā)光二極管
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差異化講解：電磁干擾中沖擊 VS 浪涌電流
本文主要為大家講解了關(guān)于沖擊電流與浪涌電流的區(qū)別，并在最后對兩者之間的聯(lián)系進(jìn)行了介紹，需要注意的是在電機(jī)關(guān)斷的情況下，沖擊電流與浪涌電流的界限是較為模糊的，需要特別注意。
2015-10-21
電磁干擾 浪涌電流
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