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隔離SEPIC轉(zhuǎn)換器如何破解反激式拓?fù)涞腅MI與調(diào)節(jié)困局？
?在低功耗隔離電源設(shè)計(jì)中，反激式拓?fù)潆m因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單被廣泛應(yīng)用，但其漏感引發(fā)的FET振鈴、EMI干擾及多路輸出調(diào)節(jié)難題始終困擾工程師。本文通過(guò)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證，提出隔離SEPIC（單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器）作為更優(yōu)解，其獨(dú)特的能量傳輸機(jī)制可顯著改善系統(tǒng)性能。
2025-05-14
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薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
薄膜電阻（Thin Film Resistor）通過(guò)物理/化學(xué)氣相沉積（PVD/CVD）工藝，在陶瓷基板（Al?O?或AlN）表面形成納米級(jí)（50-250nm）金屬或合金薄膜（如NiCr、TaN）。
2025-05-10
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傳感器+AI+衛(wèi)星：貿(mào)澤電子農(nóng)業(yè)資源中心揭秘精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)“黑科技”
?全球半導(dǎo)體與電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）近日正式上線農(nóng)業(yè)資源中心，聚焦智慧科技在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用。該平臺(tái)整合了傳感器、無(wú)人機(jī)、人工智能等前沿技術(shù)方案，為農(nóng)業(yè)從業(yè)者提供從數(shù)據(jù)采集到智能分析的全鏈路支持。
2025-05-09
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金屬膜電阻技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
金屬膜電阻（Metal Film Resistor）是在高純度陶瓷基板（通常為Al?O?）表面，通過(guò)真空沉積工藝形成鎳鉻合金（NiCr）或氮化鉭（TaN）薄膜，再經(jīng)激光微調(diào)達(dá)到目標(biāo)阻值的精密電阻器。
2025-05-09
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10BASE-T1S如何運(yùn)用以太網(wǎng)重構(gòu)智能工廠的“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”
為了使所有這些獨(dú)立的設(shè)備能夠可靠地通信，工廠需要采用安全可靠的協(xié)議。在過(guò)去，通信依賴于包括HART、RS-485、Modbus、DeviceNet、Profibus和CAN在內(nèi)的多種網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的混合使用。這種碎片化意味著需要昂貴的網(wǎng)關(guān)來(lái)連接不同的標(biāo)準(zhǔn)，而且維護(hù)變得既困難又昂貴。
2025-05-08
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驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A，可驅(qū)動(dòng)中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標(biāo)10kW+應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)。本文就來(lái)介紹一個(gè)設(shè)計(jì)案例，采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC評(píng)估板。
2025-05-07
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硅光技術(shù)新突破：意法半導(dǎo)體PIC100開(kāi)啟數(shù)據(jù)中心高能效時(shí)代
PIC100 是意法半導(dǎo)體的首個(gè)硅光子技術(shù)，是在300 毫米晶片上制造的以高能效為亮點(diǎn)的PIC（光子集成電路），每通道數(shù)據(jù)速率達(dá)到200Gbps，未來(lái)甚至有望實(shí)現(xiàn)更高的帶寬。事實(shí)上，此次發(fā)布意義重大，因?yàn)樗_(kāi)啟了一系列光子集成電路的先河， ST還計(jì)劃推出更多的后續(xù)技術(shù)，助力數(shù)據(jù)中心、人工智能服務(wù)器集群和其他光纖網(wǎng)絡(luò)設(shè)備提升能效。目前，許多可插拔光收發(fā)器都在使用ST的 BiCMOS B55 芯片，因此ST對(duì)市場(chǎng)有一定的了解。利用意法半導(dǎo)體的能效更高的 PIC制造技術(shù)和下一代55 納米硅鍺芯片B55X，可插拔光收發(fā)器廠商將會(huì)在市場(chǎng)上樹(shù)立新的能效和性能標(biāo)桿，這對(duì)于推廣普及傳輸速度更快的通信標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。
2025-04-30
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交錯(cuò)式反相電荷泵如何破解EMI/紋波雙難題？
集成電路中使用IICP來(lái)生成較小的負(fù)偏置軌。ADP5600獨(dú)特地將低噪聲IICP與其他低噪聲特性和高級(jí)故障保護(hù)功能結(jié)合在一起。本文將借助ADP5600深入探討交錯(cuò)式反相電荷泵(IICP)的實(shí)際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進(jìn)行比較，以揭示交錯(cuò)如何改善低噪聲性能。
2025-04-28
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運(yùn)算放大器如何用“阻抗魔法”破解信號(hào)傳輸密碼？
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狂飆突進(jìn)的浪潮中，運(yùn)算放大器這個(gè)誕生57年的模擬電路基石器件，正以全新姿態(tài)支撐起從5G基站到腦機(jī)接口的科技革命。據(jù)IC Insights最新報(bào)告顯示，2024年全球運(yùn)放市場(chǎng)規(guī)模將突破48億美元，其中高精度、低噪聲產(chǎn)品需求增速達(dá)23%，這背后折射出的是數(shù)字世界對(duì)模擬信號(hào)處理日益嚴(yán)苛的要求。在這場(chǎng)無(wú)聲的較量中，輸入輸出阻抗這對(duì)“隱形參數(shù)”，正成為決定電路性能的勝負(fù)手。
2025-04-25
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貿(mào)澤聯(lián)合ADI 和 Amphenol 發(fā)布全新電子書(shū)，探索電動(dòng)汽車和航空業(yè)未來(lái)發(fā)展
全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）聯(lián)合模擬技術(shù)巨頭Analog Devices, Inc. (ADI)與連接器領(lǐng)軍企業(yè)Amphenol，重磅發(fā)布技術(shù)洞察電子書(shū)。該書(shū)深度剖析高可靠連接器與高性能半導(dǎo)體如何破解電動(dòng)載具續(xù)航焦慮、航空電子系統(tǒng)輕量化等產(chǎn)業(yè)難題，為工程師提供下一代交通系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)路線圖。
2025-04-22
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從單點(diǎn)突破到系統(tǒng)進(jìn)化：TDK解碼傳感器融合的AI賦能密碼
TDK在深圳國(guó)際傳感器展（SENSOR SHENZHEN 2025）上，圍繞汽車、工業(yè)與ICT領(lǐng)域，集中展示多傳感器融合創(chuàng)新方案及AI技術(shù)應(yīng)用路徑，既突顯其傳感技術(shù)硬實(shí)力，也揭示了"感知+AI"驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)新范式。
2025-04-21
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高電壓動(dòng)態(tài)響應(yīng)測(cè)試：快速負(fù)載切換下的擺率特性研究
低電壓大電流供電場(chǎng)景下（如微處理器及ASIC芯片），電源系統(tǒng)需滿足嚴(yán)苛的電壓容限要求，其動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性在負(fù)載瞬態(tài)工況下尤為關(guān)鍵。此類電源的測(cè)試驗(yàn)證工作面臨雙重挑戰(zhàn)：既要捕捉納秒級(jí)電流突變引發(fā)的細(xì)微電壓波動(dòng)，又需建立精準(zhǔn)的規(guī)范符合性評(píng)估基準(zhǔn)。
2025-04-18
- 800V牽引逆變器：解鎖電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
- 熱敏電阻技術(shù)全景解析：原理、應(yīng)用與供應(yīng)鏈戰(zhàn)略選擇
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