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安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
碳化硅結(jié)型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導通。
2025-06-13
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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運行
近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運行。Ionautics 成立于 2010 年，長期深耕于電離物理氣相沉積領域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。
2025-06-13
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集成化柵極驅(qū)動IC對多電平拓撲電壓均衡的破解路徑
在新能源汽車主驅(qū)模塊（如800V平臺）中，多電平拓撲通過串聯(lián)開關(guān)器件實現(xiàn)高壓階梯化處理，但分立式驅(qū)動方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-12
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低排放革命！貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破
全球電子元器件及工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商——貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)，近日發(fā)布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列的新一期內(nèi)容《低排放、再利用、重塑未來的技術(shù)》。本期EIT系列專注于探索那些能夠改善環(huán)境的清潔技術(shù)，并提供面向未來的創(chuàng)新工程解決方案，旨在通過技術(shù)革新推動可持續(xù)發(fā)展的進程。
2025-06-12
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挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設計的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺的創(chuàng)新設計證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導’為結(jié)溫危機，并拆解工業(yè)級解決方案的底層邏輯。
2025-06-09
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ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn)：Siana案例驗證交鑰匙方案提速無線開發(fā)
意法半導體（STMicroelectronics）與高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies）強強聯(lián)手開發(fā)的集成式Wi-Fi 6和藍牙5.4二合一模塊ST67W611M1，現(xiàn)已正式進入量產(chǎn)階段。這標志著雙方合作的“交鑰匙”無線連接解決方案邁入商業(yè)化新里程。與此同時，重要客戶Siana采用該模塊的設計項目已宣告成功落地，顯著縮短了其無線產(chǎn)品的研發(fā)周期。
2025-06-05
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高/低電平復位電路的底層邏輯與實戰(zhàn)陷阱
在嵌入式系統(tǒng)設計中，復位電路的極性選擇直接決定設備上電穩(wěn)定性。據(jù)統(tǒng)計，23%的硬件故障源于復位信號異常（數(shù)據(jù)來源：2024 IEEE ICET），而高/低電平復位方案在電路結(jié)構(gòu)、抗噪能力、芯片適配性等方面存在本質(zhì)差異。本文通過實驗數(shù)據(jù)揭示兩種設計的深層邏輯。
2025-06-04
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貿(mào)澤電子上線機器人資源中心：賦能工程師探索智能自動化未來
貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）今日上線機器人技術(shù)資源中樞——集成12大開發(fā)模塊與200+工業(yè)級解決方案的開放平臺，直擊AI自動化系統(tǒng)開發(fā)痛點。 該平臺深度解析手術(shù)機器人精密控制算法、工業(yè)機械臂實時運動規(guī)劃等場景化案例，提供從TI毫米波雷達建圖方案到NVIDIA Jetson邊緣AI部署的完整工具鏈，助力工程師將開發(fā)周期壓縮40%，為醫(yī)療、制造等關(guān)鍵領域構(gòu)建符合ISO 13849功能安全的機器人系統(tǒng)。
2025-06-03
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意法半導體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導體展會
全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于2025年5月20日至22日亮相東南亞國際半導體展會（展位號L1901），圍繞“邊緣人工智能與自動化解決方案”主題，向業(yè)界展示其針對智能工業(yè)、智慧城市等場景的技術(shù)創(chuàng)新。作為服務多重電子應用領域的半導體領軍企業(yè)，ST此次參展凸顯其對東南亞市場數(shù)字化轉(zhuǎn)型需求的精準把握。
2025-05-30
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運動追蹤+沖擊檢測雙感知！意法半導體微型AI傳感器開啟智能設備新維度
意法半導體（STMicroelectronics）推出業(yè)界首款集成運動追蹤與高重力沖擊測量的微型AI慣性測量單元（IMU），采用3.3mm×2.8mm緊湊封裝。該傳感器支持沖擊檢測精度與動態(tài)角度解析，可精準重構(gòu)智能設備運動軌跡與沖擊事件，適配移動設備、可穿戴設備、消費醫(yī)療產(chǎn)品以及智能家居、智能工業(yè)和智能駕駛設備等場景，推動消費電子、醫(yī)療監(jiān)護及工業(yè)4.0設備邁向高可靠感知新階段。
2025-05-22
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中微公司在TechInsights 2025半導體供應商獎項調(diào)查中榮獲兩項第一
在全球技術(shù)分析和知識產(chǎn)權(quán)服務提供商TechInsights舉辦的2025年半導體供應商獎項調(diào)查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎項，其中在WFE基礎芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設備（Deposition Equipment）兩個榜單中位列第一。
2025-05-19
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破局PMIC定制困境：無代碼方案加速產(chǎn)品落地
電源管理集成電路(PMIC)有益于簡化最終應用并縮小其尺寸，也因此備受青睞。然而，當默認啟動時序和輸出電壓與應用要求不符時，就需要定制上電設置。大多數(shù)情況下，電路沒有可以存儲這些設置的非易失性存儲器(NVM)。對此，低功耗微控制器是一個很好的解決方案，其功能特性和所包含的工具可以在上電時對PMIC控制寄存器進行編程，而不需要開發(fā)固件。本文將探討如何使用工具鏈來解決集成難題。該工具鏈無需開發(fā)固件，能夠簡化PMIC的定制過程，并顯著縮短開發(fā)周期。
2025-05-18
- 挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設計的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)
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