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AMK105BJ474MC ：太陽(yáng)誘電推出1005型多層陶瓷電容器
太陽(yáng)誘電株式會(huì)社宣布，1005型·厚度0.22mm的多層陶瓷電容器AMK105BJ474MC(1.00 x 0.50 x0.22mm，厚度是最大值)投入生產(chǎn)，該產(chǎn)品適用于手機(jī)等小型、輕薄便攜設(shè)備IC 的電源電路，可實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高靜電容量0.47μF。
2009-12-22
太陽(yáng)誘電 多層陶瓷 電容器 輕薄
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Gartner：硅晶圓市場(chǎng)將復(fù)蘇 2010年增長(zhǎng)23%
市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長(zhǎng)17% ，2009年對(duì)全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計(jì)2010年第二季度會(huì)開始恢復(fù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，硅晶圓年度增長(zhǎng)率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過(guò)去10年中，中國(guó)的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來(lái)看，根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國(guó)1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬(wàn)噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國(guó)的5.62倍，是美國(guó)的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國(guó)的GDP要趕超美國(guó)，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府?dāng)偱院匣锸召?gòu)英飛凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購(gòu)英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進(jìn)行談判。英飛凌是德國(guó)最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購(gòu)
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第一講 中國(guó)新型顯示技術(shù)分析及發(fā)展概述
本節(jié)主要講顯示技術(shù)的前世今生。
2009-12-21
顯示 歷史 發(fā)展 TFT LCD
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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MGA-30x89系列：安華高科技推出三款新高線性增益方塊
Avago的MGA-30x89系列具有容易使用以及更廣帶寬等特性，使得這些增益方塊成為移動(dòng)通信設(shè)備、WiMAX無(wú)線基站、衛(wèi)星和有線電視機(jī)頂盒，以及其他各種40到6000MHz頻帶工作無(wú)線應(yīng)用的理想選擇。這些器件的平坦增益和高線性主要來(lái)自于采用Avago特有的0.25μm GaAs增強(qiáng)模式pHEMT工藝技術(shù)，內(nèi)置的溫度補(bǔ)償內(nèi)部...
2009-12-18
MGA-30x89 安華高科 高線性 增益方塊
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日本率先打開LED環(huán)境燈、LED防犯燈市場(chǎng)
日本在先進(jìn)國(guó)家中，屬于相對(duì)人口高齡化的社會(huì)，政府有關(guān)部門與民間企業(yè)，對(duì)于老人、弱視者的居家暨公共場(chǎng)合很重視，提供給他們的夜行燈照明與指示系統(tǒng)，是針對(duì)夜間步行時(shí)，提供遠(yuǎn)超過(guò)地面反光板亮度的夜行安全燈具。同時(shí)，日本市場(chǎng)也有LED線型階梯導(dǎo)引燈、LED線型照明器具系列、人行道導(dǎo)引球燈等等。
2009-12-18
日本 LED 環(huán)境燈 防犯燈
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：沉淪還是涅槃
近日，普華永道中國(guó)2009半導(dǎo)體行業(yè)最新報(bào)告顯示，長(zhǎng)遠(yuǎn)看來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)已駛離高速發(fā)展的快車道，未來(lái)該行業(yè)的增長(zhǎng)率將更接近全球平均水平。
2009-12-18
普華永道 高增長(zhǎng) 半導(dǎo)體 沉淪 涅槃
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