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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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適合工業(yè)應用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標準。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當控制器和外設位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠（不大于1米）時...
2022-06-14
工業(yè)應用 SPI ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現(xiàn)方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調(diào)制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-13
直流快充 設計指南 控制算法
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貿(mào)澤電子榮獲知名互連廠商Hirose頒發(fā)的年度分銷商大獎
2022年6月10日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布榮獲創(chuàng)新連接器解決方案知名設計和制造商Hirose Electric USA頒發(fā)的2021年度分銷商大獎。這個年度分銷商獎旨在表彰在銷售額和增長率，以及客戶服務和滿意度方面表現(xiàn)突出的分銷商。
2022-06-10
貿(mào)澤電子 Hirose 連接器
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