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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手
CMOS傳感器因具有低功耗、體積小、運(yùn)行速度快等優(yōu)點(diǎn)而迅速成為新成像技術(shù)的發(fā)展方向。CMOS能同時(shí)實(shí)現(xiàn)攝像頭的拍照和視頻功能，使得移動(dòng)電話已成為CMOS的最忠實(shí)擁護(hù)者。CMOS成像技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更安全、更智能的駕駛，CMOS也將朝著安保與監(jiān)控領(lǐng)域發(fā)展。
2008-09-28
CMOS 傳感器 攝像頭 成像技術(shù)
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如何快速解決高速系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高，系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題倍受關(guān)注。解決信號(hào)完整性問(wèn)題要從系統(tǒng)設(shè)計(jì)入手，減少抖動(dòng)的影響。解決信號(hào)完整性問(wèn)題主要是解決系統(tǒng)的功率失配問(wèn)題，主要方法是使用均衡補(bǔ)償功率電平失配和使用去加重技術(shù)補(bǔ)償功率電平失配。
2008-09-28
完整性 均衡 去加重
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如何快速解決高速系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高，系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題倍受關(guān)注。解決信號(hào)完整性問(wèn)題要從系統(tǒng)設(shè)計(jì)入手，減少抖動(dòng)的影響。解決信號(hào)完整性問(wèn)題主要是解決系統(tǒng)的功率失配問(wèn)題，主要方法是使用均衡補(bǔ)償功率電平失配和使用去加重技術(shù)補(bǔ)償功率電平失配。
2008-09-28
完整性 均衡 去加重
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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無(wú)源器件發(fā)展?fàn)顩r
對(duì)于越來(lái)越多的便攜電子系統(tǒng)來(lái)說(shuō),無(wú)源元件的小型化依然是一個(gè)重要課題.小型化的目標(biāo)是在較小的封裝中實(shí)現(xiàn)至少相同的性能.對(duì)于電容而言,不但要求在尺寸較小的封裝中實(shí)現(xiàn)更大的電容量,而且希望提高可耐受電壓;對(duì)于電阻而言,也要求在較小的封裝中達(dá)到相同或更高的性能。
2008-09-25
MLCC 電阻 鉭貼片電容
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EG-9000GC/EV-9000GB：Epson Toyocom表面聲波振蕩器
Epson Toyocom公司開(kāi)發(fā)出兩種以基波輸出GHz帶(800MHz～2.5GHz)的頻率且具有低相位噪音及低抖動(dòng)特征的表面聲波(SAW)振蕩器。
2008-09-25
表面聲波振蕩器 EG-9000GC EV-9000GB
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EG-9000GC/EV-9000GB：Epson Toyocom表面聲波振蕩器
Epson Toyocom公司開(kāi)發(fā)出兩種以基波輸出GHz帶(800MHz～2.5GHz)的頻率且具有低相位噪音及低抖動(dòng)特征的表面聲波(SAW)振蕩器。
2008-09-25
表面聲波振蕩器 EG-9000GC EV-9000GB
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TDK開(kāi)發(fā)出1005尺寸移動(dòng)設(shè)備用薄膜帶通濾波器
TDK公司宣布開(kāi)發(fā)出一款厚度僅0.3mm的1005尺寸薄膜帶通濾波器。TDK采用了其在HDD磁頭（TDK的主打產(chǎn)品）生產(chǎn)中研發(fā)的薄膜工藝，從而制造出真正低高度 (low-profile)且體積縮小至早期的2012尺寸產(chǎn)品1/12的濾波器。
2008-09-25
帶通濾波器
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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