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產(chǎn)品特性：

• 第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)
• 增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性
• 配合設(shè)計(jì)高精度、高性價(jià)比的集成無源元件

應(yīng)用范圍：

• 電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級(jí)封裝
• 用于最新便攜和無線應(yīng)用
   

應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ™硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合設(shè)計(jì)高精度、高性價(jià)比的集成無源元件，用于便攜電子設(shè)備中的射頻(RF)系統(tǒng)級(jí)封裝應(yīng)用。

HighQ™ IPD2工藝是安森美半導(dǎo)體定制代工部眾多創(chuàng)新制造服務(wù)之一，采用先進(jìn)的8英寸晶圓技術(shù)，典型設(shè)計(jì)包括平衡/不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和雙工器，用于最新便攜和無線應(yīng)用?；贗PD2的設(shè)計(jì)為電路設(shè)計(jì)人員提供重要優(yōu)勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以及更高性能(等同于延長電池使用時(shí)間)。

安森美半導(dǎo)體為其IPD2工藝技術(shù)提供全功能設(shè)計(jì)工具和設(shè)計(jì)支援，以及快速的原型制造能力，幫助潛在用戶快速和高性價(jià)比地評(píng)估，不管他們復(fù)雜度較低的分立或集成印制電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，還是基于更昂貴的砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否適合轉(zhuǎn)換至IPD2工藝。

安森美半導(dǎo)體定制代工部高級(jí)總監(jiān)Rick Whitcomb說：“在高性價(jià)比、小尺寸和低插入損耗的平臺(tái)上集成無源器件，能為電池供電便攜電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供極有用的方案。我們以全套設(shè)計(jì)工具和技術(shù)配合這新工藝，能夠幫助客戶以最短的時(shí)間和最大的信心，從效用相對(duì)較低的技術(shù)轉(zhuǎn)換至我們的IPD2工藝。”