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三菱電機推出四個工業(yè)用功率模塊系列產(chǎn)品

發(fā)布時間:2010-05-21 來源:EEWORLD

產(chǎn)品特性:
  • PV-IPM面積比以前減小約30%
  • MPD系列額定電流提升到原系列的1.5倍以上
  • 新VI系列IPM功率大尺寸小、有效利用能源
  • 第6代IGBT模塊進一步降低模塊的開關和通態(tài)損耗
應用范圍:
  • 工業(yè)用功率模塊

三菱電機將攜同最新推出的四個工業(yè)用功率模塊系列產(chǎn)品,包括適合可再生能源設備使用的新型PV-IPM和新型MPD系列;其他工業(yè)使用的V1系列 IPM和第6代NX 系列IGBT模塊,在6月1日至3日于上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展中亮相,向參觀者介紹面積更小、損耗更低、和容量更大的變頻工業(yè)技術。

三菱電機推出的新封裝型PV-IPM產(chǎn)品的面積比以前的產(chǎn)品減小了約30%,為功率變換器的小型化做出貢獻。由于它的面積小,特別適合裝在室內的家用太陽能發(fā)電系統(tǒng)的功率變換器使用,將太陽能電池板的直流電轉換成交流電。這款模塊也可應用在燃料電池系統(tǒng)的功率變換器,進一步推動再生能源的使用。

根據(jù)內置功率硅片的數(shù)量,可以將該系列產(chǎn)品分為4單元、5單元和6單元共3種,其對應的電路拓撲結構分別為單相逆變電路、單相逆變加1個升壓電路、單相逆變加2個升壓電路。額定電流包括50A和75A兩個電流等級。
新型PV-IPM照片

三菱電機的新型MPD系列產(chǎn)品是另一款適合容量大的再生能源設備使用的功率模塊。新型MPD系列IGBT模塊針對大電流專用的內部結構采用專門的封裝,并采用低損耗的第6代IGBT硅片,使得額定電流提升到原MPD系列的1.5倍以上。原MPD系列早在2002年推出,額定電壓為1200V,額定電流為1400A的2單元MPD系列IGBT模塊。

新型MPD系列CM2500DY-24S的額定電流為2500A,是目前工業(yè)用2單元IGBT模塊中電流最大的,從而使得利用再生能源發(fā)電的系統(tǒng)可以做到更大的容量。同時,為了提高水冷的冷卻效率,模塊內部的硅片布局空間保持較大余量。這種新品還適用于工業(yè)用大容量變頻器、不間斷電源(UPS)等裝置。

這個新型MPD系列產(chǎn)品更能滿足發(fā)電系統(tǒng)大容量化的需求,切合現(xiàn)時各國政府極力推進風力發(fā)電、太陽能發(fā)電等利用可再生能源的發(fā)電政策。在政府的大力推動下,新能源發(fā)電系統(tǒng)已經(jīng)達到兆瓦級的大規(guī)模,對應用于這些發(fā)電系統(tǒng)的功率變換裝置的容量也比以前大幅提高。

新型MPD 照片
三菱電機現(xiàn)在推出的小型V1系列IPM,則可應用在大功率電機上。它的特性是低損耗,可用于37kw以上的變頻器和15kw以上的伺服驅動器等。

新設計的VI系列IPM,功率大且尺寸小,更有效地利用能源。這款頻率可調的變頻器可廣泛使用于工業(yè)電機的驅動控制系統(tǒng)。變頻器的輸出部分普遍采用內置驅動電路、保護電路的功率半導體模塊IPM來高速開關電流。

新的V1系列IPM把三菱電機早期的2單元S系列和V系列IPM統(tǒng)一成兩種封裝,采用CSTBTTM硅片具有低損耗的優(yōu)點,最優(yōu)化的集成在硅片上的溫度傳感器,功率循環(huán)能力較以前的產(chǎn)品相比得到顯著提高。

電壓分別有600V和1200V兩個等級,電流從200A/1200V到900A/600V,產(chǎn)品豐富。V1系列IPM使得變頻器的功率損耗與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比降低約20%(PM300DV1A120與PM300DVA120相比較)。另外,V1系列IPM在每一個硅片上都有溫度傳感器用于檢測溫度,與傳統(tǒng)產(chǎn)品V系列IPM相比,新的V1系列IPM的溫度保護功能得到增強。
V1系列IPM模塊照片
三菱電機最新開發(fā)的第6代IGBT模塊,采用優(yōu)化載流子存儲層的摻雜分布和精細圖形工藝的溝槽型IGBT硅片,進一步降低模塊的開關和通態(tài)損耗。第6代IGBT模塊內的續(xù)流二極管硅片,由于采用薄膜晶片工藝和擴散技術,這種硅片優(yōu)化了緩沖層雜質分布和本征層、緩沖層厚度,減小了反向恢復的拖尾電流,并且獲得更好的VF和Qrr的折衷關系。

實驗表明新型硅片具有足夠寬SCSOA和最少10μs的短路承受時間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片,最大允許結溫可高達175?C。 采用第6代NX系列IGBT模塊的變頻器功率損耗比傳統(tǒng)產(chǎn)品的降低約20%。例如:1200V/150A IGBT模塊應用于30kW的變頻器,功耗可從200W減少到160W(CM150TX-24S與CM150DX-24A對比)。

第6代NX系列IGBT模塊產(chǎn)品豐富,包括1200V和1700V兩個電壓等級,額定電流從35A到1000A,分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、六單元、二單元和一單元模塊,共5種電路拓撲。全系列產(chǎn)品采用同一封裝平臺從而降低了模塊的制造成本,使得NX系列IGBT模塊的性價比具有不同尋常的競爭力。


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