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650V:飛兆半導(dǎo)體IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性

發(fā)布時間:2012-03-29

產(chǎn)品特性:

  • 具有大電流處理能力
  • 具有較寬的安全工作區(qū)
  • 能夠應(yīng)對設(shè)計人員的高效、有效功率轉(zhuǎn)換挑戰(zhàn)
  • 更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性

適用范圍:

  • 太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用


太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品,幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。

飛兆半導(dǎo)體公司的場截止IGBT技術(shù)能夠讓設(shè)計人員開發(fā)出具有更高輸入電壓的高可靠系統(tǒng)設(shè)計,同時提供具有低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的最佳性能。另外,650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數(shù)、嚴(yán)格的參數(shù)分布,以及較寬的安全工作區(qū)等特點。

更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性,隨著溫度的降低,IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降,因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細(xì)選擇IGBT和續(xù)流二極管是獲得最高效率的必要條件,650V IGBT提供了快速和軟恢復(fù)特性,能夠降低功率耗散,并減小開啟和關(guān)斷損耗。

特性和優(yōu)勢

• 具有更高的阻斷電壓能力,無需犧牲性能
• 具有正溫度系數(shù),易于并聯(lián)工作,可實現(xiàn)不發(fā)熱的嵌板應(yīng)用,防止系統(tǒng)過載
• 大電流容量,實現(xiàn)大功率DC/AC轉(zhuǎn)換
• 最高結(jié)溫:TJ=175oC
• 低飽和壓降:Ic=40A / 60A額定電流下,VCE(sat)= 1.9V(典型值)
• 高開關(guān)速度,可讓系統(tǒng)保持高效率
• 低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
• 寬安全工作區(qū)  – 允許更高的功率耗散
• 嚴(yán)格的參數(shù)分布
• 滿足RoHS要求

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