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快速檢測出PCB板故障問題的方法
制作PCB板并非簡單的按流程來做完板子，鉆個(gè)孔打上元器件就好了。PCB的制作并不難，難的在于制作完成后的故障排查。無論是個(gè)人愛好者還是行業(yè)工程師，對于PCB電路板在調(diào)試的時(shí)候遇到問題也是相當(dāng)?shù)念^疼，就好比程序員遇到BUG一樣。
2017-06-22
PCB板 故障排查
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如何設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性和高功率密度的同步降壓穩(wěn)壓器
同步降壓穩(wěn)壓器是一種常用的電源 ，隨著各類應(yīng)用要求的不斷提高，行業(yè)越來越趨向于追求高能效、高可靠性、高功率密度的設(shè)計(jì)方案。本文將介紹快速設(shè)計(jì)出高效可靠的同步降壓穩(wěn)壓器的技術(shù)，以及安森美半導(dǎo)體的 Power Supply WebDesigner在線設(shè)計(jì)工具，幇助工程師解決所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。
2017-06-16
穩(wěn)壓器 電路設(shè)計(jì)
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半導(dǎo)體大國崛起醞釀電子信息產(chǎn)業(yè)變革
作為國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)最重要的展示平臺(tái)之一，IC China始終以促進(jìn)電子智造全產(chǎn)業(yè)鏈互動(dòng)及本土半導(dǎo)體自給率為初衷，致力于打造萬億級“整機(jī)與芯片”聯(lián)動(dòng)展示平臺(tái)。近日，IC China 2017 & 90th CEF新聞發(fā)布會(huì)在上海舉行，宣布兩個(gè)大展將攜手于2017年10月25-27日同期在上海舉行，匯聚半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈，帶動(dòng)整...
2017-06-16
半導(dǎo)體 電子信息 IC產(chǎn)業(yè)
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正確選擇輸入網(wǎng)絡(luò)，優(yōu)化高速ADC的動(dòng)態(tài)性能和增益平坦度
對于較高IF的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，正確選擇板級元器件是滿足高動(dòng)態(tài)性能和較寬增益平坦度的必要條件。本技術(shù)資料介紹了如何選擇輸入網(wǎng)絡(luò)，借助寬帶變壓器、端接電阻和濾波電容，簡化單端到差分信號轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)。
2017-06-15
增益平坦 高速ADC 變壓器
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高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號處理硬件技術(shù)發(fā)展概述
在過去的幾年里，高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號處理（DSP）技術(shù)取得了飛速的収展，目前單片DSP芯片的速度已經(jīng)可以達(dá)到每秒80億次定點(diǎn)運(yùn)算（8000MIPS）；其高速度、可編程、小型化的特點(diǎn)將使信息處理技術(shù)迚入一個(gè)新紀(jì)元。一個(gè)完整的高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號處理系統(tǒng)包括多種功能模塊，如DSP，ADC，DAC，RAM，F(xiàn)PGA，總線...
2017-06-15
高速信號處理 DSP COTS MIMP結(jié)構(gòu)
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PWM占空比趨勢測量可快速分析電機(jī)運(yùn)行異常
對于電機(jī)控制來說，占空比是一項(xiàng)直接影響控制精度的關(guān)鍵參數(shù)，而如何快速分析出占空比變化的趨勢，正是分析這一問題的核心。只要有了占空比變化趨勢曲線，電機(jī)異常運(yùn)行的原因自然就浮出水面。
2017-06-14
電機(jī)異常 PWM占空比 測量測試
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電路系統(tǒng)的核心元件：連接器發(fā)展的四個(gè)趨勢
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的高速發(fā)展，集成電路的集成能力越來越強(qiáng)，但在電子產(chǎn)品構(gòu)成中，一種器件必不可少，它就是連接器。
2017-06-14
連接器 發(fā)展趨勢
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設(shè)計(jì)適合工業(yè)、電信和醫(yī)療應(yīng)用的魯棒隔離式I2C/PMBus數(shù)據(jù)接口
工業(yè)和儀器儀表(I&I)、電信以及醫(yī)療應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵要求是需要一個(gè)可靠接口來傳輸數(shù)據(jù)。(I2C)總線是一種雙線制雙向總線，用于集成電路之間的低速、短距離通信。(I2C)是由飛利浦公司于20世紀(jì)80年代早期為單個(gè)電路板上的IC開發(fā)，其應(yīng)用依然在不斷增長。電源管理總線(PMBus)是一種速度相對較慢的雙線式...
2017-06-14
I2C PMBus 數(shù)據(jù)接口
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下一代PFC解決方案：用GaN重新考慮功率密度
電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和MarTIn Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級別。
2017-06-13
氮化鎵 功率密度
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