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解析直流偏壓現(xiàn)象
在構(gòu)建多層陶瓷電容器（MLCC）時(shí)，電氣工程師們通常會(huì)根據(jù)應(yīng)用選擇兩類電介質(zhì)——1類，非鐵電材料介質(zhì)，如C0G/NP0；2類，鐵電材料介質(zhì)，如X5R和X7R。它們之間的關(guān)鍵區(qū)別在于，隨著電壓和溫度的提升，電容是否還具備良好的穩(wěn)定性。
2023-05-05
直流偏壓
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使用電池溫度監(jiān)控構(gòu)建更好的電池供電應(yīng)用
使用可充電電池運(yùn)行的現(xiàn)代產(chǎn)品應(yīng)用程序通常具有內(nèi)置傳感器和電池管理系統(tǒng) (BMS) 電路。BMS 監(jiān)控可充電電池系統(tǒng)的電壓、電流和溫度，無(wú)論是單個(gè)電池、模塊（一組電池）還是電池組（一組模塊）。監(jiān)測(cè)電池的電壓和電流通常不足以確定電池的健康狀況。
2023-05-05
電池溫度監(jiān)控 電池供電應(yīng)用
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巧用MOS管的體二極管
用過(guò)MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏級(jí)別，此時(shí)體二極管是截至狀態(tài)的。
2023-05-04
MOS管 體二極管
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驅(qū)動(dòng)5G基礎(chǔ)設(shè)施
5G 基站的數(shù)量以及能源消耗呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，因此高效供電變得非常重要。本文將討論這個(gè)主題，并且針對(duì)電源模塊如何為基站提供高功率密度和可靠的性能提出了一些解決方案。
2023-05-04
5G基站 電源模塊
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RS-485基礎(chǔ)知識(shí)：失效防護(hù)偏置網(wǎng)絡(luò)的兩種方法
在本系列的上一部分中，我介紹了何時(shí)需要端接 RS-485 網(wǎng)絡(luò)以及如何實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)和交流端接方案。在這一部分中，我將介紹處理空閑總線條件的兩種常見(jiàn)方法，以便保證總線上的邏輯狀態(tài)。
2023-04-30
RS-485 失效防護(hù) 偏置網(wǎng)絡(luò)
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理解和建模壓電傳感器
我不想詳述壓電物理；這是一個(gè)廣泛的主題，相關(guān)信息部分（上面）中列出的第二篇文章提供了很好的介紹。歸根結(jié)底，壓電效應(yīng)是連接機(jī)械世界和電氣世界的橋梁。
2023-04-29
建模 壓電傳感器
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集成解決方案如何提高電阻式電流檢測(cè)的準(zhǔn)確性
一個(gè)分立放大器連同一些外部增益設(shè)置電阻可用于增加電流檢測(cè)電阻兩端的電壓。盡管此類分立解決方案具有成本效益，但由于外部組件的匹配有限，它們無(wú)法提供高精度。嘗試使用高精度電阻網(wǎng)絡(luò)可能會(huì)抵消使用簡(jiǎn)單分立解決方案可能帶來(lái)的成本節(jié)約。
2023-04-29
電阻式電流檢測(cè) 分立放大器
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總結(jié)肖特基勢(shì)壘二極管對(duì)寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優(yōu)于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業(yè)界采用寬帶隙材料來(lái)滿足功率器件應(yīng)用中的低功耗需求。這種需求導(dǎo)致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
肖特基勢(shì)壘二極管 寬帶隙材料
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為什么IGBT是適合斬波應(yīng)用的器件
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性，因此，如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。
2023-04-29
IGBT 斬波應(yīng)用
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