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如何優(yōu)化開關穩(wěn)壓器中控制算法的使用
在本應用筆記中,我們將研究開關穩(wěn)壓器的三種基本控制算法。我們將討論每種方法的優(yōu)缺點,并就正確的環(huán)路補償策略提供指導,以獲得快速穩(wěn)定的響應。
2023-01-05
開關穩(wěn)壓器 算法
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穩(wěn)壓器電路仿真電路設計怎么發(fā)現(xiàn)問題?
每個新的電子設備都需要某種程度的功率調節(jié)。無論新產品是依靠電池,外部電源還是交流電源運行,都需要為新系統(tǒng)設計一種調節(jié)策略。這可能涉及多個功率調節(jié)電路,通常帶有反饋以提供高效功率轉換。您可能需要各種支持組件和功能,以幫助您調節(jié)功率輸出,尤其是在系統(tǒng)以高功率運行時。
2023-01-04
穩(wěn)壓器電路 仿真電路設計
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基于FPGA的模數(shù)轉換器(ADC)或數(shù)模轉換器
選擇時首先要確定轉換信號所需的采樣頻率。這個參數(shù)不僅將影響轉換器的選擇,同時也會影響對FPGA的選擇,這樣才能確保器件能夠滿足所需的處理速度及邏輯封裝要求。轉換器的采樣頻率至少為信號采樣頻率的2倍。因此,如果信號的采樣頻率為50MHz,則轉換器采樣頻率至少應為100MHz。
2023-01-04
FPGA 模數(shù)轉換器(ADC) 數(shù)模轉換器
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六種常見的DC-DC升壓電路
電路中變壓器T可用晶體管收音機用的502型音頻輸出變壓器,次級作為升壓變壓器的初級,初級中間的抽頭不用,兩端抽頭作為升壓變壓器的次級。如果找不到合適的變壓器,也可以用收音機輸人輸出變壓器的硅鋼片自制,初級用直徑為0.25mm的高強度漆包線繞110匝,次級用直徑0.21mm的高強度漆包線繞520匝。...
2023-01-04
DC-DC升壓電路
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Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現(xiàn)更高的效率水平,但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。
2023-01-04
Si SiC MOSFET
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單對以太網(wǎng)的推出恰逢其時
對于低數(shù)據(jù)速率設備,工業(yè)設施和汽車制造商需要一種經濟高效的連接解決方案,而10BASE-T1S和10BASE-T1L可提供低成本且簡單的解決方案。
2022-12-30
以太網(wǎng)
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應用于機器視覺的3D激光三角測量技術
3D視覺技術正在成為主流--這是件好事。技術的進步和成本的降低使得3D視覺成為一種可以用于半導體和電子、電動車電池制造、汽車制造、食品生產和藥品包裝等多種應用和行業(yè)的技術。人們會在生產制造自動化、機器人引導和質量控制領域中看到3D傳感器和輪廓儀。
2022-12-30
機器視覺 3D激光三角測量技術
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為什么FeFET變得如此有趣?
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流,鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器,填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上,用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。
2022-12-30
FeFET 鐵電體 存儲器
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RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用,甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻,這是高壓功率器件...
2022-12-30
RS瑞森半導體 碳化硅二極管 光伏逆變器
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