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如何利用MOSFET的三極管和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對以提供脈沖電流
當(dāng)環(huán)境和電路設(shè)計變量影響輸出時，要確定具有負(fù)反饋的電路的穩(wěn)定性并非易事。任何錯誤的計算都會成為電路異常行為（如振蕩和振鈴）的溫床。這就需要采取先發(fā)制人的測試程序，以最小化輸出波動的可能性。
2021-11-19
MOSFET 三極管 負(fù)載電阻
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如何選擇電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET？
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。
2021-11-19
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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如何實現(xiàn)最佳的DCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計？
反激式轉(zhuǎn)換器在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)下都可以工作。但對許多低功耗和低電流應(yīng)用而言，DCM反激式轉(zhuǎn)換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細(xì)介紹此類轉(zhuǎn)換器的設(shè)計步驟。
2021-11-18
DCM反激式轉(zhuǎn)換器
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如何在48V系統(tǒng)中輕松應(yīng)用GaN FET？
GaN FET可以應(yīng)用在48V電源系統(tǒng)中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器，工程師們常利用DSP數(shù)字解決方案來實現(xiàn)其高頻和高效率設(shè)計。然而，DSP解決方案因為需要額外的IC而增加了復(fù)雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器，它只需很少的器件，就可以讓設(shè)計人員像使用硅FET一樣簡單地設(shè)...
2021-11-17
48V系統(tǒng) GaN FET
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干貨 | 指定支持Wi-Fi?的MCU時的注意事項
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展趨勢是在一個SoC而非多個離散器件中執(zhí)行更多功能，以精簡物料清單、降低設(shè)計風(fēng)險、減少占用空間。Wi-Fi? MCU即是一個典型，它將Wi-Fi連接與處理器及所需GPIO集成在一起，以滿足多種應(yīng)用的需求。在指定其中一個器件時，需要考慮多個因素，并需審慎進(jìn)行選擇，因此務(wù)必對這些器件有所...
2021-11-17
Wi-Fi MCU
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保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對其它應(yīng)力更為常見。
2021-11-16
保護(hù)器件 過電應(yīng)力失效
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基于模型的GAN PA設(shè)計基礎(chǔ)知識：GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
在簡單的線性射頻/微波放大器設(shè)計中，一般利用s參數(shù)匹配使增益和增益平坦度最大。同樣也會利用這些 S 參數(shù)數(shù)據(jù)來開發(fā)匹配網(wǎng)絡(luò)，以解決放大器穩(wěn)定性問題。本文討論在設(shè)計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 過程中，使用模型模擬基本的 S 參數(shù)和穩(wěn)定性分析的重要性。文中介紹使用模型和電阻穩(wěn)定性技術(shù)來幫...
2021-11-16
GAN晶體管 S參數(shù) 電阻穩(wěn)定性
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分析無芯變壓器柵極驅(qū)動器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離，這對SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應(yīng)用中，包括太陽能逆變器，所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
無芯變壓器 柵極驅(qū)動器
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適用于工業(yè)應(yīng)用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲密度又達(dá)到新高的各種新聞。閃存早已實現(xiàn)了 100 層以上的技術(shù)，并且在短期內(nèi)似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
工業(yè)應(yīng)用 NAND 閃存
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