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基于壓電主動傳感技術(shù)中功率放大器的應(yīng)用
本實驗將利用壓電陶瓷傳感器，通過模型試驗，對基于時間反演技術(shù)的螺栓球節(jié)點連接區(qū)健康狀態(tài)監(jiān)測方法進(jìn)行驗，時間反演聚焦信號的峰值只與該信號在結(jié)構(gòu)上傳遞時所經(jīng)過的傳播路徑的傳遞函數(shù)有關(guān)，當(dāng)螺栓球節(jié)點內(nèi)部螺栓發(fā)生損壞或未安裝到位（受損狀態(tài)）時，相當(dāng)于傳遞函數(shù)發(fā)生改變，聚焦信號的峰值也...
2021-08-24
功率放大器 壓電主動傳感技術(shù)
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如何解決高頻信號傳輸領(lǐng)域存在的阻抗失配現(xiàn)象
在高頻領(lǐng)域，信號或電磁波必須沿著具有均勻特征阻抗的傳輸路徑傳播。一旦阻抗失配或不連續(xù)現(xiàn)象，一部分信號被反射回發(fā)送端，剩余部分電磁波將繼續(xù)被傳輸?shù)浇邮斩恕?/p>
2021-08-24
高頻信號傳輸 阻抗失配
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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數(shù)字IC的高級封裝盤點與梳理
數(shù)字 IC 的封裝選項（以及相關(guān)的流行詞和首字母縮略詞）繼續(xù)成倍增加。微處理器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級數(shù)字 IC 以多種封裝形式提供。
2021-08-23
數(shù)字IC 高級封裝
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發(fā)布了重大技術(shù)架構(gòu)的改變和創(chuàng)新
在 2021 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構(gòu)師，全面介紹了兩種全新 x86 內(nèi)核架構(gòu)的詳情；英特爾首個性能混合架構(gòu)，代號“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調(diào)度器；專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計的下一代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理...
2021-08-22
英特爾 CPU GPU IPU
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開關(guān)電源的LLC 拓?fù)?/span>
近來，LLC拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵OSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動態(tài)負(fù)載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統(tǒng)的可靠性。
2021-08-22
開關(guān)電源 LLC 拓?fù)?/p>
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術(shù)語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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利用SiC FET降低電磁干擾和開關(guān)損耗
器件緩沖似乎是處理開關(guān)過沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對于諸如IGBT之類較老的技術(shù)來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術(shù)用為柵極電阻調(diào)諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
SiC FET 電磁干擾 開關(guān)損耗
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解惑：耦合在電路中的作用？為什么需要耦合？
耦合是指把能量從一個電路傳送另外一個電路中去，耦合在模擬電路和數(shù)字電路中非常常見，微弱的信號可以耦合到放大電路進(jìn)行放大，經(jīng)過放大的信號同樣可以通過耦合進(jìn)行輸出。
2021-08-20
耦合電路 模擬電路 數(shù)字電路
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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