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晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流和短路保護(hù)
本文描述了在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個(gè)環(huán)節(jié)的情況下,將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運(yùn)算放大器,就可實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流及短路保護(hù),簡化了電路結(jié)構(gòu),并提高了整機(jī)的穩(wěn)定可靠性能和AC - DC變換效率。
2008-10-16
晶閘管 短路保護(hù) 直流穩(wěn)壓器
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寄生電容對串聯(lián)諧振電容器充電電源特性的影響
軟開關(guān)串聯(lián)諧振電容器拓?fù)湟蚱湓谳^寬的電壓范圍內(nèi)具有平均充電電流恒定和抗短路能力強(qiáng)的特點(diǎn)而用于對高壓電容器充電。但開關(guān)頻率固定的串聯(lián)諧振充電電源的恒流特性因直流母線電壓的波動(dòng)和高壓變壓器以及整流單元的分布電容的影響，其充電電流并不是恒流。本文分析了理想和實(shí)際的串聯(lián)諧振充電電源的...
2008-10-16
電力工程 串并聯(lián)諧振 寄生參數(shù) 恒流 CCPS
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
本文針對傳統(tǒng)欠壓鎖定電路靜態(tài)功耗較大，降低了電源的效率且增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性等不足之處，提出了一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并且通過HSPICE仿真對結(jié)果進(jìn)行了分析。
2008-10-16
高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路 先導(dǎo)控制技術(shù) 加速響應(yīng)回路 電源管理
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DirectFET技術(shù)徹底革新大電流DC-DC變換器的設(shè)計(jì)
現(xiàn)代電子設(shè)備在很大程度上依靠DC-DC變換器為其提供電源。在很多計(jì)算機(jī)，網(wǎng)絡(luò)和電信應(yīng)用中，對電流的要求已經(jīng)超過了100A。要達(dá)到這樣的輸出能力，需要多只MOSFET并聯(lián)的多相式變換器才能實(shí)現(xiàn)，這樣就帶來了嚴(yán)重的布板擁擠以及功耗等問題。國際整流器公司的一項(xiàng)新的技術(shù)，即DirectFET，證明在載流能力...
2008-10-16
DirectFET DC/DC DFPR
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我國線纜產(chǎn)品年總銷額超五千億元
改革開放30年來，我國電線電纜工業(yè)在產(chǎn)品品種、企業(yè)數(shù)目、行業(yè)規(guī)模以及銷售產(chǎn)值等方面都實(shí) 現(xiàn)了前所未有的飛躍發(fā)展。全行業(yè)從業(yè)人員總數(shù)57.8萬人。在2008中國電線電纜行業(yè)大會(huì)上，中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電線電纜分會(huì)負(fù)責(zé)人吳士敏先生所作的《2007年電線電纜行業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行分析及建議》報(bào)告，對此作了精辟地...
2008-10-15
線纜
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鋁電解電容器產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間廣闊
目前，日本、臺(tái)灣、韓國、新加坡、馬來西亞和中國大陸是全球鋁電解電容器的主要生產(chǎn)國家和地區(qū)，近年來日本企業(yè)由于生產(chǎn)成本過高，無法與臺(tái)灣和韓國企業(yè)的低價(jià)產(chǎn)品競爭，已陸續(xù)關(guān)廠或縮小生產(chǎn)規(guī)模，逐漸退出中低檔鋁電解電容器市場，專注于附加值較高的通訊用SMD芯片型及產(chǎn)業(yè)用高電容以及導(dǎo)電性高分...
2008-10-15
鋁電解電容器
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中國鋁電解電容器進(jìn)出口連續(xù)9年逆差，08年欲破10億美元
根據(jù)智多星顧問的數(shù)據(jù)：我國既是鋁電解電容器的主要生產(chǎn)地之一，也是主要消費(fèi)地之一。在國內(nèi)產(chǎn)品大量出口的同時(shí)，我們從國外市場進(jìn)口大量產(chǎn)品以滿足國內(nèi)市場的需求。
2008-10-15
鋁電解電容器
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將有源鉗位添加到同步反向電源的優(yōu)勢
本文提出將有源鉗位添加到同步反向電源這一新做法，并通過實(shí)驗(yàn)將利用電源變壓器來驅(qū)動(dòng)同步 FET的電源與添加了有源鉗位電路中柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的電源進(jìn)行比較，得出后者的優(yōu)勢。
2008-10-15
有源鉗位同步反向電源 有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器
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單節(jié)鋰離子電池保護(hù)芯片的設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一種單節(jié)鋰離子電池保護(hù)芯片，它可用常規(guī)的P 阱或雙阱CMOS工藝實(shí)現(xiàn)。此設(shè)計(jì)在提高檢測異常情況的精度、降低功耗方面采取相關(guān)措施，用巧妙的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)各種功能電路，最后模擬驗(yàn)證此芯片的性能。
2008-10-15
鋰離子電池保護(hù)芯片設(shè)計(jì) 保護(hù)電路
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
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