產(chǎn)品特性：
- 新產(chǎn)品包括兩款20V 和兩款30V n通道器件
- 首次采用TurboFET技術(shù)，柵極電荷降低多達(dá) 45%
- 超低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積
- 可選擇以更高的頻率工作
- 均無鹵素，且 100% 通過 Rg 和 UIS 測試
應(yīng)用范圍：
- 筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊
- 服務(wù)器及其他系統(tǒng)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n通道器件，從而擴(kuò)展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。這些器件首次采用TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
這次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK 1212-8 封裝，可為此額定電壓的設(shè)備提供最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。對(duì)于SiS426DN 而言，直流到直流轉(zhuǎn)換器中針對(duì) MOSFET 的此關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM) 在 4.5V 時(shí)為 76.6 m?-nC，而在 10 V 時(shí)為 117.60 m?-nC；它在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)典型柵極電荷低至 13.2 nC，在 10V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)低至 28 nC。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時(shí)柵極電荷分別降低 45% 與 36%，F(xiàn)OM 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時(shí)更有效的切換，尤其是可讓設(shè)計(jì)人員選擇以更高的頻率工作，從而確保在直流到直流轉(zhuǎn)換器中使用更小的無源元件。
Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封裝的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封裝的 Si7784DP。兩款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 時(shí)典型柵極電荷分別為 13.7 nC 和 30 nC，且在 4.5V 和 10V 時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM 分別為 112.34 m?-nC 和 180 m?-nC。采用 PowerPAK SO-8 封裝的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大電流應(yīng)用。日前推出的所有器件均無鹵素，且 100% 通過 Rg 和 UIS 測試。
這些器件將在同步降壓轉(zhuǎn)換器中用作高端 MOSFET，通過使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及其他系統(tǒng)的功耗。
器件規(guī)格表：
型號(hào) SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP 封裝 PowerPAK 1212-8 PowerPAK SO-8 PowerPAK 1212-8 PowerPAK SO-8 VDS 20 30 RDS（在 4.5 V 時(shí)） RDS（在 10 V 時(shí)） 典型 QG（在 4.5 V 時(shí)） 13.2 nC 13.7 nC 典型 QG（在 10 V 時(shí)） 28 nC 30 nC RDS(on) x QG @ VGS = 4.5 V RDS(on) x QG @ VGS = 10 V
目前，采用 TurboFET 技術(shù)的第三代功率 MOSFET 可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
