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RUBYCON小型化高可靠性薄膜電容專為逆變器應(yīng)用開發(fā)

發(fā)布時(shí)間:2012-06-05 來源:RUBYCON

產(chǎn)品特點(diǎn):
  • 方型封裝MPC系列用于逆變器平滑、緩沖
  • 圓型封裝MPV系列用于逆變器平滑
  • 模塊化HVC系列EV/HEV逆變器平滑用
應(yīng)用領(lǐng)域:
  • 逆變器

當(dāng)前多數(shù)的工業(yè)機(jī)械為了達(dá)到節(jié)省能源的目的,而采用控制精確更高的變頻器技術(shù),所使用電容當(dāng)中,薄膜電容份額不斷增加,并成為主導(dǎo),主要是因?yàn)楸∧る娙萦斜姸鄡?yōu)勢(shì)。RUBYCON開發(fā)出了三個(gè)系列小型化、重量輕、低成本、高可靠性的大型薄膜電容。
圖1:RUBYCON開發(fā)出的小型化、低成本、高可靠性的大型薄膜電容
圖1:RUBYCON開發(fā)出的小型化、低成本、高可靠性的大型薄膜電容

表1是RUBYCON面向工業(yè)機(jī)械而設(shè)計(jì)的各種特長(zhǎng)的大型薄膜電容。MPC、MPV、HVC 3種系列應(yīng)用于不同的用途。
①方型封裝MPC系列(用于逆變器平滑、緩沖)
②圓型封裝MPV系列(用于逆變器平滑)
③模塊化HVC系列(EV.HEV逆變器平滑用、各種逆變器平滑用)
表1:RUBYCON面向工業(yè)機(jī)械而設(shè)計(jì)的三個(gè)系列大型薄膜電容
表1:RUBYCON面向工業(yè)機(jī)械而設(shè)計(jì)的三個(gè)系列大型薄膜電容

薄膜電容有以下優(yōu)勢(shì):
(1)壽命長(zhǎng),不需要維護(hù)更換。
(2)頻率特性好,低損耗、低發(fā)熱
(3)高耐壓特性
(4)良好的自我修復(fù)、保護(hù)設(shè)計(jì),提高了安全性

金屬膜電容的構(gòu)造是在塑膠薄膜上以真空金屬蒸鍍工藝制成介電體及電極,并按一定的幅度切割后,將兩個(gè)電極薄膜卷取成型并進(jìn)行熱處理,然后對(duì)內(nèi)部電極進(jìn)行電鍍后選用如引線等端子溶接或焊接而成。作為金屬薄膜電容的一大特長(zhǎng)、當(dāng)介電體存在局部缺損或過電壓等場(chǎng)合,施加在電容上的電壓或是電容本身存儲(chǔ)的電壓將迅速氧化蒸鍍金屬,達(dá)到自修復(fù)的目的,此外,近年來、對(duì)金屬薄膜的蒸鍍膜設(shè)計(jì)成帶有保險(xiǎn)安全(保險(xiǎn)絲)的構(gòu)造也逐步成為主流。
 圖2:金屬薄膜電容的蒸鍍構(gòu)造
圖2:金屬薄膜電容的蒸鍍構(gòu)造

圖2即為金屬薄膜電容的蒸鍍構(gòu)造,在其表面,將其分成多個(gè)部份并用保險(xiǎn)絲相聯(lián),起到安全保護(hù)的作用。當(dāng)超出電容自修復(fù)的絕緣破壞時(shí),保險(xiǎn)絲將在大電流的作用下而熔斷,該部份的電容將被斷開,起到對(duì)整個(gè)電容的保護(hù)。金屬薄膜電容的特性,根據(jù)介電薄膜、電極的蒸鍍金屬種類、阻抗 、蒸鍍模式等不同而不同。
 圖3:是金屬膜電容的截面圖
圖3:是金屬膜電容的截面圖
圖3是金屬膜電容的截面圖。為了從帶有內(nèi)部電極的蒸鍍金屬層引出電極,采用電鍍(金屬熔射)技術(shù),使熔射金屬與內(nèi)部電極的蒸鍍金屬充分的聯(lián)接,否則將使電容ESR增大而使電容耐紋波能力大打折扣,由此可見,金屬熔射技術(shù)將是電容的重要技術(shù)要素。
 圖4是薄膜電容的等價(jià)電路圖
圖4是薄膜電容的等價(jià)電路圖

圖4是薄膜電容的等價(jià)電路圖。理想的電容只存在電容成份C,但實(shí)際電容還有 IR(Insulation Resistance),兩個(gè)電極間的電阻并不是無限大,會(huì)有微小的電流流過,這就是絕緣電阻。ESR(Equivalent Series Resistance)是電容介電體電阻、蒸鍍及電鍍接觸電阻、引線端子電阻等串聯(lián)電阻。

薄膜電容的體積基本上同介電材料厚度的2次方成正比例,所以開發(fā)薄膜化介電材料對(duì)電容小型化非常重要。一般情況下,誘電體的厚度越薄,其單位厚度所加電壓(電勢(shì)梯度)越高,導(dǎo)致電容器耐壓下降、可靠性降低。改善此現(xiàn)象,蒸鍍技術(shù)尤為重要。

RUBYCON非常重視對(duì)蒸鍍技術(shù)的開發(fā),并對(duì)保險(xiǎn)絲模式蒸鍍、金屬蒸鍍、蒸鍍電阻等不斷優(yōu)化和設(shè)計(jì)。圖5是RUBYCON金屬熔射型聚丙烯塑膠薄膜電容在同一耐壓下的體積推移圖,以2000年100為基數(shù)制作的曲線。利用介電材料的特性改善、蒸鍍技術(shù)開發(fā)等10年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了體積縮小到十分之一,大幅度改善了電容體積。
圖5:RUBYCON金屬熔射型聚丙烯塑膠薄膜電容小型化推移圖
圖5:RUBYCON金屬熔射型聚丙烯塑膠薄膜電容小型化推移圖
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