- 可承受高達(dá)200V的峰值電壓
- 適用于50V DC信號(hào)高達(dá)250MHz的應(yīng)用
- 醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備
意法半導(dǎo)體（ST）推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間，并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。
經(jīng)制程升級后，意法半導(dǎo)體最新的射頻功率MOSFET晶體管可承受高達(dá)200V的峰值電壓，比同類競爭產(chǎn)品高20%以上。更高的耐用性可有效延長功率晶體管的使用壽命，從而降低設(shè)備的停機(jī)時(shí)間和經(jīng)營成本。先進(jìn)的制程還能提高M(jìn)OSFET的增益、能效及大功率特性，進(jìn)而提高設(shè)備性能，并簡化設(shè)計(jì)。
此外，新產(chǎn)品采用最新的陶瓷封裝和意法半導(dǎo)體的塑膠氣室（STAC）封裝技術(shù)，這兩種封裝可加快裸片散熱過程和提高可靠性，進(jìn)一步降低設(shè)備維護(hù)成本。
SD4931和SD4933分別是150W和300W N溝道射頻功率MOSFET晶體管，適用于50V DC信號(hào)高達(dá)250MHz的應(yīng)用。采用意法半導(dǎo)體的強(qiáng)化垂直硅制程和配備倒螺栓安裝凸緣的密閉陶瓷封裝是這個(gè)系列器件的兩大優(yōu)勢。
STAC4932B和STAC4932F采用意法半導(dǎo)體的倒螺栓無凸緣的STAC封裝，適合100V脈沖/額定功率1000W以上的射頻應(yīng)用，如光驅(qū)和核磁共振影像（MRI）。擁有高散熱率和高能效的 STAC封裝配備散熱基座，可直接焊接散熱器，讓MOSFET晶體管能夠輸出大功率的高頻信號(hào)，最大限度地提升應(yīng)用可靠性，延長設(shè)備的使用壽命。
主要特性：
擊穿電壓（V（BR）DSS） 》 200V
最大結(jié)溫200°C
可承受20:1的全部相位負(fù)載失匹率（SD4931/4933）
輸出功率 （POUT）：
在175MHz時(shí)，最低150W，14.8dB增益（SD4931）
在30MHz時(shí)，最低300W，24dB增益（SD4933）
在123MHz時(shí)，最低1000W（正常1200W），26dB增益 （STAC4932B/F）
采用陶瓷封裝的STAC4932B現(xiàn)已量產(chǎn)；采用STAC封裝的STAC4932F預(yù)計(jì)于今年6月量產(chǎn)。
