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英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM UE2
英飛凌無線解決方案部副總裁兼智能手機與射頻業(yè)務(wù)分部總經(jīng)理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2顯著改善了所有關(guān)鍵性能指標：成本、尺寸、功耗和射頻性能。我們成熟、領(lǐng)先的射頻技術(shù)，可確?？蛻糸_發(fā)出外形極其靈活、電池壽命更長的全新智能手機和移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?！?/p>
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出適用于汽車的DirectFET 2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET?2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應(yīng)用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
2010-01-29
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LED與OLED未來潛力巨大成本下降仍需時間
根據(jù)市場研究機構(gòu)SBI(SpecialistsinBusinessInformation)預(yù)估，全球LED與OLED現(xiàn)今市場規(guī)模已經(jīng)超過50億美元，而美國就占據(jù)了10億美元市場值。這比起2007年足足成長50%以上。SBI進一步預(yù)估，2013年全球LED與OLED市場規(guī)模將可達140億美元，而美國可達30億美元之市場規(guī)模。
2010-01-29
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OptiMOSTM系列：英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V 器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）和直流電機驅(qū)動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(shù)（FOM），OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統(tǒng)設(shè)計的導(dǎo)通損耗降低一半。
2010-01-27
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計在設(shè)計程度上新的級別。
2010-01-27
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微機電運動傳感器淺談
MEMS運動傳感器囊括多種傳感器技術(shù)。用來測量物體加速度的傳感器叫做加速度傳感器（加速度計）；用來測量物體角速度的傳感器叫做角速度傳感器（陀螺儀）；也有將二者相結(jié)合的慣性測量單元（IMU；Inertial Measurement Unit）。另外，還有測量高度變化的氣壓計，以及感測絕對方向的電子羅盤。
2010-01-27
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X-Fest 2010研討會深圳站結(jié)束 Spartan-6應(yīng)用受關(guān)注
1月21日，安富利電子元件 (Avnet Electronics Marketing) 與賽靈思公司（Xilinx, Inc.）攜手舉辦的X-Fest 2010系列研討會深圳站活動圓滿結(jié)束。至此，整個中國大陸四站活動全部結(jié)束，中國大陸四站總共吸引聽眾1400多人。
2010-01-26
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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
2010-01-21
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面向高電流DC/DC應(yīng)用、降低上表面熱阻的功率MOSFET
TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求?！?/p>
2010-01-18
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DislaySearch:2010年用于TFT LCD光學(xué)膜面積較去年長11% 出貨金額基本持平
2009年全球TFT LCD用光學(xué)膜出貨面積估計達到5億4千3百萬平方米，同時預(yù)估2010年光學(xué)膜出貨將持續(xù)增長到6億零6百萬平方米，年成長率將達11%。不過由于平均銷售價格不斷下滑，我們估計2010年出貨金額將與今年持平在91億美元水平。另一方面隨著綠色顯示器需求與LED背光市場增長驅(qū)動新一波背光設(shè)計發(fā)展，使得如棱鏡片（prism films）、反射式偏光片（reflective polarizers）或者micro-lens films等產(chǎn)品的需求也跟著提高；對于能持續(xù)提高技術(shù)能力的廠商提供較佳市場機會。
2010-01-18
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【CES】LG電子高調(diào)展出“全球最薄”的6.9mm液晶電視
韓國LG電子（LG Electronics）在“2010 International CES”上，高調(diào)展出了“全球最薄”的6.9mm厚液晶電視。雖然數(shù)mm之差的厚度競爭已不是主流，LG電子還是將其放在了展位的突出位置。LG電子2010年1月6日在面向媒體的發(fā)布會上，也將該超薄電視作為自己的最大看點發(fā)布。
2010-01-15
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
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