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Vishay為模壓鉭貼片電容器新增外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為廣受歡迎的低ESR TR3高容量、高電壓模壓鉭貼片電容器新增一種W外形尺寸(EIA 7316)。新外形尺寸為7.3mm x 6.0mm，高3.45mm，使電容器的容量和電壓范圍擴展到現(xiàn)有A至E外形尺寸以外。
2011-05-04
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Vishay擴大ORN薄膜模壓雙列直插式電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，該公司擴大了ORN系列薄膜模壓雙列直插式表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)的阻值范圍。增強后的器件可提供49.9Ω～500kΩ范圍內(nèi)的13種標(biāo)準(zhǔn)阻值，使設(shè)計者在相同的標(biāo)準(zhǔn)窄體SOIC鷗翼型封裝內(nèi)可使用阻值更高或更低的電阻。
2011-05-03
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Vishay發(fā)布新的鋁電容器在線選擇工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在公司網(wǎng)站上推出新的鋁電容器在線選擇工具。這個工具能幫助設(shè)計者挑選適合其應(yīng)用的器件，從而節(jié)省工作時間。
2011-04-29
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Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布日文、中文和韓文企業(yè)宣傳視頻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在公司網(wǎng)站上推出日文、中文和韓文的企業(yè)宣傳視頻。該視頻展示了Vishay的系列產(chǎn)品、設(shè)計和制造資源、可信賴的高品質(zhì)元器件交付能力、廣泛的應(yīng)用支持，以及遍布全球的供應(yīng)鏈。
2011-04-27
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IFSC系列:Vishay發(fā)布新款低外形、高電流電感器應(yīng)用于平板電腦
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大頻率，提供0.47μH～47.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。
2011-04-25
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Vishay推出9款新系列雪崩整流器用于消費類產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布9款新系列低外形、表面貼裝的標(biāo)準(zhǔn)、快速和超快雪崩整流器---AS1Px、AS3Px和AS4Px標(biāo)準(zhǔn)整流器，AR1Px、AR3Px和AR4Px快速整流器，AU1Px、AU2Px和AU3Px超快整流器。整流器的雪崩容量達(dá)20mJ EAS，正向電流高達(dá)4A，采用節(jié)省空間的小尺寸SMP和SMPC封裝。
2011-04-19
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Vishay發(fā)布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負(fù)載開關(guān)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負(fù)載開關(guān)--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關(guān)導(dǎo)通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關(guān)噪聲降至最小。
2011-04-15
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LVB1560和LVB2560：Vishay推出高效的新款橋式整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。整流器的VF比前一代產(chǎn)品更低，在+125℃下只有0.73V，并可承受高正向浪涌電流。
2011-04-14
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Vishay多款產(chǎn)品入選Design News最佳產(chǎn)品的最終評選名單
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其TANTAMOUNT? Hi-Rel COTS T97和商用的工業(yè)級597D系列固鉭貼片電容器，以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測試類Golden Mousetrap Best Product的最終評選名單。
2011-04-13
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ORNV系列:Vishay發(fā)布模壓雙列直插電阻分壓器適用于工業(yè)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列薄膜材料的模壓雙列直插電阻分壓器--ORNV系列。分壓器具有±0.05%的嚴(yán)格分壓比容差，在2000小時和+70℃條件下的分壓比穩(wěn)定率特性(ΔR)為±0.015%，還具有±5PPM/oC的嚴(yán)格TCR跟蹤。ORNV系列中的器件由5個電阻組成4mm x 5mm的8引腳表面貼裝網(wǎng)絡(luò)，包括2個分壓器和1個參考電阻，具有比分立式SMT芯片更高的精度。
2011-04-12
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Vishay提供免費在線脈沖能量計算器:Joule School
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，在Vishay網(wǎng)站上推出可幫助設(shè)計者為其應(yīng)用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈沖能量計算器。
2011-04-06
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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
2011-04-01
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