-
DDR測(cè)試系列之四——漫話DDR3
DDR3將在未來的兩年內(nèi)加速占領(lǐng)更多的市場(chǎng)份額,Intel的Core i7處理器以及AMD的Phenom II處理器均內(nèi)置內(nèi)存控制器并且支持DDR3,同時(shí)Core i7處理器將不支持DDR2。
2009-12-28
-
DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示,在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的,而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
-
DDR測(cè)試系列之一——力科DDR2測(cè)試解決方案
本文介紹了DDR2總線,DDR2相關(guān)測(cè)試以及力科的DDR2全方位測(cè)試解決方案。力科QPHY-DDR2從信號(hào)連接,DDR2總線全面測(cè)試到測(cè)試報(bào)告生成各方面進(jìn)行了完美的集成,為復(fù)雜的DDR2測(cè)試提供了最佳的測(cè)試環(huán)境,從而保證了DDR2測(cè)試的精確性與高效率。
2009-10-15
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)?
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的?
- 電壓放大器:定義、原理與技術(shù)應(yīng)用全景解析
- 減排新突破!意法半導(dǎo)體新加坡工廠冷卻系統(tǒng)升級(jí),護(hù)航可持續(xù)發(fā)展
- 低排放革命!貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破
- 基于龍芯1D的智能水表,無機(jī)械結(jié)構(gòu)+NB-IoT遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)技術(shù)解析
- 工程師必看:晶振起振檢測(cè)全攻略
- 高功率鍍膜新突破!瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行
- 安森美SiC Cascode技術(shù):共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
- 晶振如何起振:深入解析石英晶體的壓電效應(yīng)
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall