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Molex與貿(mào)澤聯(lián)手推出射頻連接器內(nèi)容中心，介紹射頻連接器在智能農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2022年9月15日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內(nèi)容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰(zhàn)和變革潛力。此內(nèi)容中心提供十多項(xiàng)關(guān)于射頻技術(shù)的豐富資源，包括播客節(jié)目、白皮書、博客文章和產(chǎn)品指南等。每項(xiàng)內(nèi)容都直接鏈接到貿(mào)澤網(wǎng)站上的Molex產(chǎn)品頁面，讓用戶輕松找到其設(shè)計(jì)所需的工具。
2022-09-15
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，是設(shè)計(jì)一個(gè)滿足每位設(shè)計(jì)工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關(guān)鍵要素。電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要知道不同應(yīng)用中的電源方案有何不同，比方說，一個(gè)800萬像素（MP）的相機(jī)與一個(gè)5000萬像素的相機(jī)的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設(shè)計(jì)，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強(qiáng)調(diào)在為當(dāng)今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號(hào)模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測器件大信號(hào)性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿(mào)澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發(fā)者大會(huì)
2022年9月14日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會(huì)議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯(lián)設(shè)備開發(fā)為主題的免費(fèi)網(wǎng)絡(luò)活動(dòng)，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費(fèi)注冊(cè)，請(qǐng)?jiān)L問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。
2022-09-13
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瑞能半導(dǎo)體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅(qū)動(dòng)下，碳化硅產(chǎn)業(yè)充滿的機(jī)遇和前景，重點(diǎn)結(jié)合了最新推出的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品的效率優(yōu)勢，詳解了瑞能半導(dǎo)體在應(yīng)用領(lǐng)域的建樹。
2022-09-08
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通過仿真分析ZVS工作原理
零電壓開關(guān)（Zero Voltage Switch）振蕩電路是功率開關(guān)管在導(dǎo)通和關(guān)斷（模式切換時(shí)）兩端電壓為0（實(shí)際上應(yīng)該是非常接近于0）的電路，這種特性使得電路功率損耗變小，所以被廣泛 應(yīng)用到大功率加熱、高壓電路中。比如在一些LLC 電源， 電磁爐驅(qū)動(dòng)電路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振蕩器的工作原理以及相關(guān)的參數(shù)設(shè)計(jì)。
2022-09-08
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帶有集成式背磁體、先進(jìn)全同步數(shù)字IC和EMC保護(hù)的真正通電狀態(tài)凸輪軸傳感器
之前我們介紹過Allegro 針對(duì)完全和輕度混合動(dòng)力發(fā)動(dòng)機(jī)應(yīng)用的巨磁阻（GMR）曲軸傳感器ATS16951，和這款曲軸傳感器完美配套的凸輪軸傳感器是Allegro 帶有集成式背磁體（back-biasing magnet）、先進(jìn)全同步數(shù)字IC和EMC保護(hù)的ATS16351。這兩款產(chǎn)品能夠絕佳配合，幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的發(fā)動(dòng)機(jī)設(shè)計(jì)，減少供應(yīng)商數(shù)量，降低系統(tǒng)復(fù)雜性。
2022-09-07
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帶過流保護(hù)的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器PCB布局技巧
英飛凌的1ED44173/5/6是新的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC，集成了過流保護(hù)（OCP）、故障狀態(tài)輸出和啟用功能。這種高集成度驅(qū)動(dòng)器對(duì)于采用升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并接參考地的PFC（數(shù)字控制功率因數(shù)校正）應(yīng)用非常友好。
2022-09-05
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200kW逆變器參考設(shè)計(jì)
基于派恩杰1200V/400A SiC 模塊PAA12400BM3開發(fā)的800V 電機(jī)驅(qū)動(dòng)平臺(tái)。采用如圖1所示三相橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，母線額定電壓為650V，工作母線電壓范圍為400-800V，最大輸入直流電流為200A，最大輸出連續(xù)功率為120kW，最大持續(xù)相電流為160A, 短時(shí)峰值功率為200kW/30s，短時(shí)峰值電流300A，使用SiC模塊的三相逆變器在效率上有了極大的提升，并且體積也相對(duì)減小，派恩杰62mm封裝SiC模塊最大工作結(jié)溫可達(dá)175℃，采用銅基板進(jìn)行散熱。
2022-09-05
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瑞薩將收購Steradian以擴(kuò)大其在雷達(dá)市場的業(yè)務(wù)范圍
2022 年 9 月 1 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，已達(dá)成最終協(xié)議，以全現(xiàn)金交易方式收購位于印度班加羅爾的無晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”），該公司提供4D成像雷達(dá)解決方案。根據(jù)慣例成交條件，此次收購預(yù)計(jì)將于2022年年底完成。收購Steradian的雷達(dá)技術(shù)將使瑞薩電子擴(kuò)大其在雷達(dá)市場的影響力，并提升其汽車和工業(yè)傳感解決方案的實(shí)力。
2022-09-02
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愛芯元智亮相2022世界人工智能大會(huì)，核心技術(shù)AI-ISP“愛芯智眸”正式發(fā)布
中國 上海 2022年9月1日——人工智能視覺感知芯片研發(fā)及基礎(chǔ)算力平臺(tái)公司愛芯元智宣布，受邀出席為期3天的2022世界人工智能大會(huì)（WAIC）。大會(huì)以“智聯(lián)世界 元生無界”為主題，集中展示全球人工智能發(fā)展成果，把握人工智能與元宇宙相融互促的發(fā)展趨勢，描繪AI時(shí)代的美好圖景。作為受邀參展公司之一，愛芯元智攜全系列端側(cè)邊緣側(cè)AI芯片產(chǎn)品及智能消費(fèi)、智慧城市、智慧交通等多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案亮相，展現(xiàn)“芯向未來 視界無界”的AI“芯”生態(tài)，并正式公布了自研核心技術(shù)AI-ISP“愛芯智眸?”。
2022-09-02
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
- 線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實(shí)踐
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