-
針對SiC串?dāng)_抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串?dāng)_問題引起的正負向電壓尖峰更容易造成開關(guān)管誤導(dǎo)通或柵源極擊穿，進而增加開關(guān)損耗，嚴(yán)重時損壞開關(guān)管，因此合適的串?dāng)_抑制方法對提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
-
如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看，還沒有準(zhǔn)確模擬整個器件的完整轉(zhuǎn)換器模型。現(xiàn)有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
-
用于信號和數(shù)據(jù)處理電路的低噪聲、高電流、緊湊型DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案
現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)、片上系統(tǒng)(SoC)和微處理器等數(shù)據(jù)處理IC不斷擴大在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車、航空電子和國防系統(tǒng)領(lǐng)域的應(yīng)用。這些系統(tǒng)的一個共同點是處理能力不斷提高，導(dǎo)致原始功率需求相應(yīng)增加。設(shè)計人員很清楚高功率處理器的熱管理問題，但可能不會考慮電源的熱管理問題。與晶體管封裝處理器本身類似，當(dāng)?shù)蛢?nèi)核電壓需要高電流時，熱問題在最差情況下不可避免——這是所有數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的總體電源趨勢。
2022-01-30
-
開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述
在本系列文章的第一部分中，[1]我們介紹了電動車快速充電器的主要系統(tǒng)要求，概述了這種充電器開發(fā)過程的關(guān)鍵級，并了解到安森美(onsemi)的應(yīng)用工程師團隊正在開發(fā)所述的充電器?，F(xiàn)在，在第二部分中，我們將更深入研究設(shè)計的要點，并介紹更多細節(jié)。特別是，我們將回顧可能的拓撲結(jié)構(gòu)，探討其優(yōu)點和權(quán)衡，并了解系統(tǒng)的骨干，包括一個半橋SiC MOSFET模塊。
2022-01-28
-
如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢？
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展，器件也在日趨成熟和商業(yè)化，其材料獨特的耐高溫性能正在加速推動結(jié)溫從150℃走向175℃，有的公司稱，現(xiàn)在已開始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
-
在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測量
在經(jīng)過多年研究和設(shè)計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動設(shè)計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，機身二極管壓降較高，因此對空轉(zhuǎn)時間和打開/關(guān)閉跳變的控制要求要更嚴(yán)格。
2022-01-27
-
貿(mào)澤電子授權(quán)分銷超49000種Amphenol產(chǎn)品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯(lián)系統(tǒng)供應(yīng)商Amphenol Corporation的新款產(chǎn)品和解決方案。貿(mào)澤備貨Amphenol及其41個部門的全系列產(chǎn)品，總數(shù)超過49600種。
2022-01-26
-
如何構(gòu)建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機驅(qū)動系統(tǒng)
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動了汽車的發(fā)展，要求汽車制造商提高新車動力總成的電氣化水平。輕混合動力電動汽車(MHEV)采用48V電機驅(qū)動系統(tǒng)來幫助減少內(nèi)燃機(ICE) 的GHG排放，已成為實現(xiàn)合規(guī)性的極具吸引力的選擇，因為這種汽車的實現(xiàn)成本遠遠低于全混合動力電動汽車。本白皮書介紹如何使用DRV3255-Q1 48V BLDC電機驅(qū)動器在 MHEV 中實現(xiàn)汽車安全完整性等級D(ASIL D) 功能安全，同時提供高達 30kW 的電機功率和高集成度以幫助減小布板空間。
2022-01-25
-
貿(mào)澤電子備貨豐富多樣的Murata產(chǎn)品
Murata是陶瓷無源電子元件、無線連接模塊和電源轉(zhuǎn)換技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球先鋒。貿(mào)澤電子作為其全球授權(quán)分銷商，庫存有來自Murata Electronics、Murata Power Solutions及Murata IPDiA的19,000多種產(chǎn)品，并且還在不斷引入新的解決方案。
2022-01-21
-
貿(mào)澤電子內(nèi)容中心推出機器人專題，一站提供各類豐富資源及前沿產(chǎn)品
2022年1月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 在貿(mào)澤內(nèi)容中心開辟了機器人專題，為工程師提供廣泛而深入的專業(yè)知識和內(nèi)容，幫助其加快機器人設(shè)計速度。此專題包含一系列文章、博客、圖表和精選產(chǎn)品，重點介紹全球知名制造商的特色產(chǎn)品，以及如何將其解決方案合理實現(xiàn)到機器人應(yīng)用和機器人過程自動化 (RPA) 解決方案中。要開始探索貿(mào)澤內(nèi)容中心的機器人專題，請從導(dǎo)航菜單中選擇Applications（應(yīng)用）中的Industrial（工業(yè)）板塊，并進入Robotics（機器人）專題；或者也可直接點擊https://resources.mouser.com/robotics。
2022-01-20
-
如何加快設(shè)計和調(diào)試速度？具有突破性、可擴展、直觀易用的上電時序系統(tǒng)是關(guān)鍵！
各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過使用ASIC、FPGA和微處理器來解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。
2022-01-20
-
橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
- 線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實踐
- 工程師必看！從驅(qū)動到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實戰(zhàn)手冊
- 毫米波雷達突破醫(yī)療監(jiān)測痛點：非接觸式生命體征傳感器破解臨床難題
- 貿(mào)澤電子聯(lián)合ADI與Samtec發(fā)布工業(yè)AI/ML電子書：探索工業(yè)自動化未來
- 碳膜電位器技術(shù)解析：從原理到選型與頭部廠商對比
- 厚膜電阻在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的關(guān)鍵應(yīng)用與技術(shù)突破
- 中微公司在TechInsights 2025半導(dǎo)體供應(yīng)商獎項調(diào)查中榮獲兩項第一
- 線繞電阻與碳膜電阻技術(shù)對比及選型指南
- 破局PMIC定制困境：無代碼方案加速產(chǎn)品落地
- 線繞電位器技術(shù)解析：原理、應(yīng)用與選型策略
- 低電流調(diào)光困局破解：雙向可控硅技術(shù)如何重塑LED兼容性標(biāo)準(zhǔn)
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
