新一代逆向?qū)ㄐ虸GBT
時(shí)間：2010年05月17日 - 2010年08月16日英飛凌最新的IGBT將二極管和IGBT集成在同一個(gè)晶粒上,這個(gè)技術(shù)創(chuàng)新為廣大客提供了一個(gè)高性能, 低成本,小封裝的方案. 這種有著寬泛的可調(diào)的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間,卓越的抗電磁干擾, 平穩(wěn)的開(kāi)關(guān)波形,5uS 短路能力和175 oC最高結(jié)溫的新型IG...
- [問(wèn)：Freddie_ma]
- 電機(jī)方面會(huì)考慮軟開(kāi)關(guān)嗎？
- 10-05-26
- [答：Infineon_專(zhuān)家]
- 不會(huì)，因?yàn)樗耐衔搽娏鲿?huì)比較大，用在軟開(kāi)關(guān)的話(huà)，軟開(kāi)關(guān)有一個(gè)特點(diǎn)，它的電壓上升的時(shí)間會(huì)比較緩慢，所以對(duì)于軟開(kāi)關(guān)來(lái)說(shuō)，它的VC的飽和壓降是一個(gè)非常重要的參數(shù)，而對(duì)于拖尾電流來(lái)說(shuō)會(huì)次之，因?yàn)殡妷荷仙容^緩慢，所以電壓跟電流的乘積會(huì)相對(duì)比較小，所以我們這種二極管和IGBT集成到同一個(gè)晶圓的產(chǎn)品，就是專(zhuān)門(mén)針對(duì)電磁爐應(yīng)用的。
- 10-05-26
- [問(wèn)：Freddie_ma]
- 提問(wèn)：硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)系列它們有什么區(qū)別？
- 10-05-26
- [答：Infineon_專(zhuān)家]
- 軟開(kāi)關(guān)主要用在這種感應(yīng)加熱、電磁爐、電飯鍋這些設(shè)備上面的。
- 10-05-26
- [問(wèn)：Freddie_ma]
- 工作結(jié)溫是175度，這個(gè)結(jié)溫怎么勘測(cè)的？
- 10-05-26
- [答：Infineon_專(zhuān)家]
- 這個(gè)是規(guī)格書(shū)上寫(xiě)的，是多少就從設(shè)計(jì)上保證了這個(gè)溫度，應(yīng)該說(shuō)是從晶圓設(shè)計(jì)的角度去保證的，而不是說(shuō)后來(lái)它到底能夠承受多少。我們通常有一個(gè)損耗的計(jì)算公式，就是它的所能夠承受的最大的損耗乘以它的熱值，加上環(huán)境溫度就是等于它的最大結(jié)溫。
- 10-05-26
- [問(wèn)：Freddie_ma]
- 逆向?qū)ㄐ虸GBT短路的時(shí)間只有5us，和其他品牌10uf比起來(lái)只有一半，是什么原因？
- 10-05-26
- [答：Infineon_專(zhuān)家]
- 我們面對(duì)市場(chǎng)的是一種小功率的消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)，所以它的通流能力暫時(shí)是沒(méi)有做得很大。
- 10-05-26
- [問(wèn)：Freddie_ma]
- 二級(jí)管和IGBT的材料選擇在設(shè)計(jì)上是不是有一些矛盾，把這兩個(gè)集成到一個(gè)芯片上，在設(shè)計(jì)產(chǎn)品上會(huì)不會(huì)有一個(gè)折中的考慮，就是相互做一些犧牲，或者你采用一些什么樣的技術(shù)能夠保證這兩個(gè)相互的性能匹配得比較好？
- 10-05-26
- [答：Infineon_專(zhuān)家]
- 因?yàn)樗龅揭黄鸬脑?huà)其實(shí)并不影響它的性能，因?yàn)橥瑯右粋€(gè)硅片，只是說(shuō)你把它移植在哪個(gè)地方，放在哪一個(gè)位置，這個(gè)技術(shù)的改善是從半導(dǎo)體的技術(shù)、晶圓的本身去改變，而不是說(shuō)是否把這個(gè)晶圓分開(kāi)或者還是連在一起，我覺(jué)得這個(gè)沒(méi)有影響的。是從晶圓的本身去改變二極管的特性，而不是說(shuō)把它分開(kāi)，分開(kāi)就會(huì)好，而合在一起就會(huì)變差，其實(shí)不是這樣的。
- 10-05-26
- [問(wèn)：Freddie_ma]
- 逆向?qū)ㄐ虸GBT把IGBT和二極管集成到一個(gè)晶圓上，工作時(shí)，IGBT在導(dǎo)通開(kāi)關(guān)時(shí)有損耗，二極管輸入時(shí)也會(huì)有損耗，整個(gè)器件的散熱是怎么樣的？
- 10-05-26
- [答：Infineon_專(zhuān)家]
- 你說(shuō)的很對(duì)。如果把兩個(gè)晶圓做到一塊的話(huà)自然會(huì)增加晶圓的損耗，但是如果想把它集成在一個(gè)里面自然也會(huì)增加晶圓的面積。所以把它集成在一個(gè)里面，可能比兩個(gè)晶圓的尺寸小，但是比一個(gè)晶圓的尺寸大。所以它的溫度會(huì)比通常的IGBT高10到15度，這是沒(méi)有問(wèn)題的，確實(shí)是這樣，但是它的最高的溫度可以達(dá)到175度，所以基本上散熱就不會(huì)存在很大的問(wèn)題。
- 10-05-26
