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中國(guó)大陸第一條OLED大規(guī)模生產(chǎn)線(xiàn)昆山投產(chǎn)
10月8日，中國(guó)大陸第一條自主設(shè)計(jì)建設(shè)的OLED（有機(jī)發(fā)光顯示）技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)線(xiàn)在江蘇昆山投產(chǎn)。這是我國(guó)大陸在顯示產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域第一次依靠自主掌握的技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，標(biāo)志著新型平板顯示技術(shù)領(lǐng)域通過(guò)多年自主創(chuàng)新已取得重大突破，顯示產(chǎn)業(yè)由“中國(guó)制造”開(kāi)始走向“中國(guó)創(chuàng)造”。
2008-10-09
OLED
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提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對(duì)電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開(kāi)關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。...
2008-10-09
DC/DC轉(zhuǎn)換器 電力電子 混沌 電磁兼容
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估算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗
開(kāi)關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計(jì)算電感在開(kāi)關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現(xiàn)象 滲透深度
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電源對(duì)移動(dòng)電話(huà)開(kāi)關(guān)頻譜的影響
隨著移動(dòng)電話(huà)市場(chǎng)的發(fā)展，移動(dòng)電話(huà)已經(jīng)成為目前國(guó)內(nèi)電子制造業(yè)最大的熱點(diǎn)。移動(dòng)電話(huà)是一個(gè)包含數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的復(fù)雜系統(tǒng)，在移動(dòng)電話(huà)的設(shè)計(jì)調(diào)試和批量生產(chǎn)中，會(huì)碰到各種各樣技術(shù)問(wèn)題。其中常見(jiàn)的問(wèn)題之一是移動(dòng)電話(huà)的開(kāi)關(guān)頻譜不能滿(mǎn)足ETSI標(biāo)準(zhǔn)的要求。在實(shí)際工作中，發(fā)現(xiàn)移動(dòng)電話(huà)使用的電源直...
2008-10-09
電源 移動(dòng)電話(huà) 開(kāi)關(guān)頻譜ETSI
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超級(jí)電容提高移動(dòng)電話(huà)的音頻質(zhì)量和電源性能
超級(jí)電容填補(bǔ)了電池和普通電容之間的功率空隙，它能提供比電池更高的觸發(fā)功率，并能比普通電容存儲(chǔ)更多的能量。超級(jí)電容可以為峰值功率事件提供所需的觸發(fā)功率，然后接受電池的再充電。其好處包括延長(zhǎng)通話(huà)時(shí)間、延長(zhǎng)電池壽命、閃光更亮以及音樂(lè)質(zhì)量更佳。設(shè)計(jì)師還可以藉此節(jié)省空間和成本，因?yàn)樗麄?..
2008-10-09
超級(jí)電容 失真 音樂(lè)手機(jī) 功率
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DC-DC變換器的輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性
目前，許多大型電子設(shè)備都趨向于采用直流分布式供電結(jié)構(gòu)，通過(guò)直流總線(xiàn)給多個(gè)DC-DC變換器進(jìn)行供電，而變換器的輸出則直接供給各個(gè)負(fù)載。但是，利用DC-DC變換器來(lái)構(gòu)建分布式供電系統(tǒng)有一些關(guān)鍵問(wèn)題需要解決，如輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性問(wèn)題。如果措施不當(dāng)，將損壞變換器甚至負(fù)載，造成巨大損失。
2008-10-09
分布式供電系統(tǒng) DC-DC變換器 輸入系統(tǒng)不穩(wěn)定性 ESR
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納米鋰電池技術(shù)剖析
可攜式電子產(chǎn)品對(duì)電池輕、薄、短、小與高容量的需求越來(lái)越高，而先進(jìn)的納米科技在此一趨勢(shì)下扮演了重要角色，採(cǎi)用納米材料的鋰電池技術(shù)可達(dá)到高容量、高功率、高安全性的效果，在未來(lái)的市場(chǎng)應(yīng)用上具備深厚潛力；本文將介紹目前納米級(jí)鋰電池材料與納米級(jí)鋰電池應(yīng)用之開(kāi)發(fā)進(jìn)展現(xiàn)況，為讀者深入剖析此...
2008-10-09
納米科技 鋰電池 負(fù)極材料 3G
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固態(tài)混合電勢(shì)氣體傳感器的原理和應(yīng)用
以混合電勢(shì)響應(yīng)為基礎(chǔ)的固態(tài)高溫氣體傳感器為各種還原性氣體提供了一種簡(jiǎn)單快速并且低成本的原位在線(xiàn)測(cè)量。這些傳感器響應(yīng)機(jī)理因電極材料、電極微觀(guān)形貌等不同而有所變化，主要分為混合電勢(shì)與被測(cè)氣體濃度呈對(duì)數(shù)關(guān)系或者線(xiàn)性關(guān)系兩種類(lèi)型。其響應(yīng)行為取決于電極反應(yīng)的Butler-Volmer動(dòng)力學(xué)方程的具體...
2008-10-09
混合電勢(shì) 氧化 還原 傳感器
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MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿(mǎn)足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。
2008-10-09
MOSFET DirectFET VRM 整流器
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