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宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司）今日宣布美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術(shù)專利。該相關(guān)專利對人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機器...
2024-11-11
宜普電源轉(zhuǎn)換公司 英諾賽科
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第104屆中國電子展精彩內(nèi)容搶先看，11月上海與您相約！
2024年11月18-20日，備受行業(yè)矚目的第104屆中國電子展即將在上海新國際博覽中心隆重開幕。本次展會展示面積超過23000平方米，吸引了來自全球的600多家參展企業(yè)，預(yù)計展會期間將有超過30000名專業(yè)觀眾前來參觀交流。展會全面展示了電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈的最新技術(shù)和產(chǎn)品，旨在加速電子產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇，共同迎...
2024-11-08
中國電子展 半導(dǎo)體設(shè)備 元器件
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【干貨】開啟可編程邏輯器件的無限可能
我們常說邏輯器件是每個電子產(chǎn)品設(shè)計的“粘合劑”，但在為系統(tǒng)選擇元件時，它們通常是您最后考慮的部分。確實有很多經(jīng)過驗證的標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件可供選擇。但是，隨著設(shè)計變得越來越復(fù)雜，我們需要在電路板上集成邏輯元件，以便為更多功能留出空間。
2024-11-08
可編程邏輯器件
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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM...
2024-11-08
富士通 RAMXEED FeRAM 邊緣智能 數(shù)據(jù)存儲
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意法半導(dǎo)體生物感測創(chuàng)新技術(shù)賦能下一代智能穿戴個人醫(yī)療健身設(shè)備
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運動手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設(shè)備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的經(jīng)過市場檢驗的慣性傳...
2024-11-08
意法半導(dǎo)體 生物感測 穿戴設(shè)備 醫(yī)療健身設(shè)備
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全差分放大器為精密數(shù)據(jù)采集信號鏈提供高壓低噪聲信號
全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出，其輸出共模由直流(DC)輸入電壓獨立控制，主要用在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換的前端，用于將信號調(diào)理為合適的電平以供下一級（通常是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)）使用。FDA一般采用單芯片設(shè)計，電源電壓較小，因此輸出動態(tài)范圍有限。本文將介紹具有可調(diào)共模輸出的高壓低...
2024-11-05
全差分放大器 數(shù)據(jù)采集 信號鏈 低噪聲信號
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利用單片機實現(xiàn)復(fù)雜的分立邏輯
開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機中的可配置邏輯模塊（CLB）外設(shè)實現(xiàn)硬件中復(fù)雜的分立邏輯功能，從而精簡物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。
2024-11-05
單片機 分立邏輯
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為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航
如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認(rèn)為它一定與消費和計算設(shè)備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演變，并解釋消費以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護(hù)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...
2024-11-04
以太網(wǎng) 工業(yè)環(huán)境
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第8講：SiC外延生長技術(shù)
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。
2024-11-04
SiC 外延生長技術(shù)
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