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高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型，一文告訴您
電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估 ，并...
2024-10-30
碳化硅 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
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X-CUBE-STL：支持更多STM32， 揭開(kāi)功能安全的神秘面紗
X-CUBE-STL 目前支持 STM32MP1、STM32U5、STM32L5、STM32H5和 STM32WL。實(shí)際上，這個(gè)最大的通用微控制器產(chǎn)品家族還在不斷擴(kuò)大，將會(huì)有更多的產(chǎn)品支持SIL2和SIL3系統(tǒng)。客戶的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)可以在ST最新的產(chǎn)品上開(kāi)發(fā)滿足 IEC 61508、ISO 13849 和 IEC 61800 等要求 的應(yīng)用。此外，在ST網(wǎng)站的功能安全網(wǎng)頁(yè)...
2024-10-29
X-CUBE-STL STM32 微控制器
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揭秘電動(dòng)汽車中直流鏈路電容器的奧秘（上）
直流鏈路電容器在功率轉(zhuǎn)換器中扮演著中間緩沖器的角色，連接著輸入源與輸出負(fù)載，適應(yīng)不同的瞬時(shí)功率、電壓和頻率。在電動(dòng)汽車（EV）領(lǐng)域，它們不僅有效抵消逆變器、電機(jī)控制器及電池系統(tǒng)中電感的影響，還充當(dāng)濾波器，為電動(dòng)汽車子系統(tǒng)提供保護(hù)，抵御電壓尖峰、浪涌及電磁干擾（EMI）的侵害。
2024-10-29
電動(dòng)汽車 直流鏈路 電容器
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如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
許多中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施和運(yùn)營(yíng)（I&O）領(lǐng)導(dǎo)者在實(shí)施基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化項(xiàng)目時(shí)，希望利用自動(dòng)化技術(shù)來(lái)簡(jiǎn)化和加快IT基礎(chǔ)設(shè)施資源的配置、管理和擴(kuò)展。但是，中國(guó)企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)往往各自為政，而技術(shù)專家又傾向于將自動(dòng)化僅僅視為現(xiàn)有技術(shù)的延伸，導(dǎo)致自動(dòng)化優(yōu)先任務(wù)之間的相互競(jìng)爭(zhēng)，各團(tuán)隊(duì)間的協(xié)作受到限制，削弱...
2024-10-27
自動(dòng)化技術(shù) 基礎(chǔ)設(shè)施 Gartner
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計(jì)中，可以手動(dòng)設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開(kāi)關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過(guò)分壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的。兩個(gè)電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個(gè)分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產(chǎn)生
交流電 (AC) 不斷反轉(zhuǎn)方向，交替流向一個(gè)方向，然后流向另一個(gè)方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關(guān)系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對(duì)較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應(yīng)用
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開(kāi)關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場(chǎng)的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長(zhǎng)期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場(chǎng)應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 氮化鎵 功率器件
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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