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可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)結(jié)構(gòu)靜電防護(hù)器件由于其自身的正反饋機(jī)制，具有單位面積泄放電流高、導(dǎo)通電阻小、魯棒性強(qiáng)、防護(hù)級(jí)別高的優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它還引入了觸發(fā)電壓高響應(yīng)速度慢、維持電壓低易閂鎖的缺點(diǎn)。
2018-12-20
可控硅 靜電防護(hù)器件 觸發(fā)電壓 開啟速度
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推薦：34種自動(dòng)控制原理圖
以下分別介紹可控硅調(diào)速電路，電磁調(diào)速電機(jī)控制圖，三相四線電度表互感器接線，能耗制動(dòng)，順序起動(dòng)，逆序停止，鍋爐水位探測(cè)裝置等34種自動(dòng)控制原理圖。
2018-12-20
自動(dòng)控制 開關(guān)電路
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MOS管的結(jié)構(gòu)、選擇及原理應(yīng)用
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2018-12-20
MOS管
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忽略了這個(gè)細(xì)節(jié)，F(xiàn)OC電流采樣當(dāng)然不準(zhǔn)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的FOC控制開發(fā)過程中，您是否遇到過電機(jī)噪聲過大、效率偏低甚至無法運(yùn)轉(zhuǎn)的情況？這一切有可能源于相電流的采樣異常，從而導(dǎo)致FOC算法中無法重建正確的三相電流！小編這里給大家分析影響電流采樣的一個(gè)因素——延遲源！
2018-12-19
FOC電流 電流采樣
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電流絲法在電磁成形線圈電流和工件電磁力中的應(yīng)用
本文系統(tǒng)地探究了一種適用于電磁成形系統(tǒng)的改進(jìn)型電流絲法，并以有限元軟件COMSOL的仿真結(jié)果為參照，對(duì)比分析了改進(jìn)前后的計(jì)算精度。最后，討論了所提方法的適用性。
2018-12-18
電流絲法 線圈 工件電磁力
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如何判斷電路中負(fù)反饋的類型？
在放大電路中加入負(fù)反饋可以提高放大器的很多性能指標(biāo)，譬如提高放大器的輸入阻抗，降低輸出電阻，擴(kuò)展放大器的頻響，提高閉環(huán)增益的穩(wěn)定性，故現(xiàn)在的放大電路一般都根據(jù)實(shí)際需要加入各種負(fù)反饋。
2018-12-17
電路設(shè)計(jì) 負(fù)反饋
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用"虛短"和"虛斷"來解決運(yùn)放電路問題
運(yùn)算放大器組成的電路是模擬電路中學(xué)習(xí)的重點(diǎn)。在分析它的工作原理時(shí)如果沒有抓住核心，往往令人頭大。為此本文特搜羅各種運(yùn)放電路之應(yīng)用，來個(gè)“庖丁解?！?，希望各位從事電路板維修的同行，看完后有所斬獲。
2018-12-17
運(yùn)放電路 虛短 虛斷
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PCB設(shè)計(jì)需要注意的規(guī)范問題
PCB設(shè)計(jì)既要考慮各種信號(hào)的走向又要顧慮到能量的傳遞，干擾與發(fā)熱帶來的苦惱也時(shí)時(shí)如影隨形?？此茝?fù)雜，但實(shí)際上總結(jié)歸納起來非常清晰，可以從這兩個(gè)方面去入手：布局和排線。
2018-12-14
PCB設(shè)計(jì)
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直插式電阻、電容封裝與尺寸
直插式電阻封裝為AXIAL-xx形式（比如AXIAL-0.3、AXIAL-0.4），后面的xx代表焊盤中心間距為xx英寸，這個(gè)尺寸肯定比電阻本身要稍微大一點(diǎn)點(diǎn)。
2018-12-14
電阻 電容 封裝
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