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運放使用時高頻增益的制約因素
結(jié)電容的存在使得基極電流ib被旁路。從而使得真正流過發(fā)射結(jié)的基極電流ib′減小。而只有真正流過發(fā)射結(jié)的基極電流才會被放大。頻率越高，結(jié)電容的容抗就越小，則結(jié)電容的旁路作用就越顯著，晶體管的電流放大倍數(shù)β就越低，放大器的增益就越低。
2022-09-28
運放 結(jié)電容
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運放的頻率特性等效電路
由于各級電路的電路形式以及增益不同，故等效的RC時間常數(shù)也不同。輸出級為電壓跟隨器形式。其增益最低，但帶寬最寬(即RC低通截止頻率最高)。即RC時間常數(shù)最小。
2022-09-28
運放 等效電路
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如何將運算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差
運算放大器最初是為模擬數(shù)學(xué)計算而開發(fā)的，從那時起，它們已被證明在許多設(shè)計應(yīng)用中都很有用。正如我的教授所說的那樣，運算放大器是算術(shù)電壓計算器，它們可以使用求和放大器電路執(zhí)行兩個給定電壓值的加法，并使用差分放大器執(zhí)行兩個電壓值之間的差。除此之外，運算放大器還通常用作反相放大器和同...
2022-09-27
運算放大器 電壓差
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運算放大器的偏置電流及消除偏置電流影響
偏置電流在運放輸入端外部電阻后產(chǎn)生電壓會對使用者造成麻煩，產(chǎn)生系統(tǒng)誤差。比如對于一個同相單位增益緩沖電流，如果信號源電阻為 1MΩ，那么當 時，就會產(chǎn)生 10mV 的誤差，對于任何系統(tǒng)這個誤差都不能被忽略。
2022-09-27
運算放大器 偏置電流
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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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什么是雪崩失效
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效機理 雪崩擊穿
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![[技術(shù)淺談] 認識三端保險絲](http://image.cntronics.com/static/images/29_副本_cRvdn5u.png "[技術(shù)淺談] 認識三端保險絲")
[技術(shù)淺談] 認識三端保險絲
三端保險絲是芯片式表貼安裝產(chǎn)品，通常用于鋰離子電池組作為二次保護，使其在遭受過流與過壓風(fēng)險時能夠及時動作，有效減少鋰離子電池因為過充、過放以及短路等故障導(dǎo)致的起火爆炸等情況，讓電路與器件損壞控制在盡量小的區(qū)域。
2022-09-21
三端保險絲 Littelfuse
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如何加強對Type-C數(shù)據(jù)線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達15W的USB-C充電應(yīng)用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設(shè)備。USB Type-C在系統(tǒng)保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micr...
2022-09-19
Type-C 數(shù)據(jù)線 充電保護
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揭秘SMD保險絲：尺寸雖然小，功能不打折，它們是如何做到的？
熱保險絲是最古老的電路保護裝置，目前仍在廣泛使用。人們已熟知這種產(chǎn)品，它可靠、一致、符合監(jiān)管標準。然而，隨著最終產(chǎn)品的復(fù)雜性增加、尺寸縮小，設(shè)計人員需要為用戶可更換的保險絲和保險絲座找到一種替代產(chǎn)品，以減少外形尺寸，簡化裝配，提高堅固性并進一步增加安全性。
2022-09-16
SMD 保險絲 DigiKey
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