- 采用Gen 10.2 技術(shù)
- 低至1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻
- 承受24V 至100V 的電壓
- 寬泛的電壓和封裝
- 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
- 適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開(kāi)關(guān)，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)的其它重載應(yīng)用。
新器件采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至 100V 的電壓。一些器件還可將 D2Pak-7P 封裝和D2Pak 封裝的最大額定電流分別調(diào)整為 240A 和195A。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR 這些經(jīng)過(guò)優(yōu)化的汽車專用MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，具有寬泛的電壓和封裝。由于其表面形成了鈍化層，因而可以提高可靠性。此外，該器件的材料經(jīng)過(guò)調(diào)整、優(yōu)化后可達(dá)到堅(jiān)固、耐用的效果。”
IR 的 汽車用 MOSFET 將動(dòng)態(tài)和靜態(tài)部分的平均測(cè)試以及100% 自動(dòng)晶圓級(jí)視覺(jué)檢測(cè)作為 IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念的一部分。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)通電阻在經(jīng)過(guò) 1000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，變化幅度不能超過(guò) 20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款 AU 材料顯示，在 5000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化少于10%，體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。
新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。
