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CHPHT:Vishay推出耐高溫環(huán)繞式厚膜片式電阻用于鉆井設(shè)備

發(fā)布時(shí)間:2011-12-06 來源:Vishay Intertechnology, Inc.

產(chǎn)品特性:

  • 耐高溫,具有-55℃~+230℃的工作溫度
  • +230℃下的功率耗散為12.5mW~100mW
  • 阻值范圍為0.1Ω~100MΩ

應(yīng)用范圍:

  • 鉆井應(yīng)用


日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。對于鉆井應(yīng)用,CHPHT是業(yè)內(nèi)首款具有-55℃~+230℃的工作溫度和-55℃~+245℃儲存溫度的此類器件。

耐高溫的CHPHT電阻特別適用于鉆井設(shè)備中的多芯片模塊(MCM),能夠把地下更深處的石油開采出來。電阻提供0603、0805、1206和2010外形尺寸(根據(jù)需要可提供其他尺寸),阻值范圍為0.1Ω~100MΩ,容差為1%、2%和5%,在+230℃下的功率耗散為12.5mW~100mW。

近日發(fā)布的Vishay Sfernice電阻采用了金端接,可兼容溫度達(dá)+245℃的高焊點(diǎn)(HMP)工藝(厚度小于1μm),錫/銀端接可用在最高+200℃的工作溫度下。器件符合RoHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

器件規(guī)格表:


CHPHT現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十三周。

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