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如何解決MOS管小電流發(fā)熱？
MOS管做電源設(shè)計(jì)或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
2021-01-27
MOS管 小電流發(fā)熱
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如何采用數(shù)字隔離器替代光耦合器來改善系統(tǒng)性能？
電隔離（通常簡稱為隔離）可以阻止直流電流和有害交流電流，并避免在系統(tǒng)的兩個(gè)部分之間形成直流導(dǎo)通路徑，同時(shí)仍支持在這兩個(gè)部分之間進(jìn)行信號和/或電源傳輸。提供電隔離的半導(dǎo)體器件稱為“隔離器”。
2021-01-26
數(shù)字隔離器 光耦合器 隔離技術(shù)
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如何設(shè)計(jì)高性能和低功耗的電機(jī)控制系統(tǒng)？
數(shù)字電機(jī)控制的首次推出旨在克服傳統(tǒng)模擬系統(tǒng)在處理漂移、組件老化和由溫度引起的變化等方面的挑戰(zhàn)。 靈活的軟件算法不僅消除了與組件有關(guān)的容差問題，還使開發(fā)者能夠動(dòng)態(tài)地適應(yīng)環(huán)境條件隨著時(shí)間的變化。
2021-01-26
電機(jī)控制系統(tǒng) 模擬系統(tǒng)
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如何使用移相電路計(jì)算相位？
在電路應(yīng)用中由于存在電感電容等無源器件，在頻率信號作用下，電容充放電，電感儲(chǔ)能釋放能量的過程，輸入輸出信號就存在相位的變化。對于電容移相的過程，是由于電容器的充放電引起電路的交變電流。
2021-01-25
移相電路 相位
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偏置電流源電路的對與錯(cuò)
下面的電流源偏置電路究竟哪個(gè)結(jié)構(gòu)是對的？幾乎每個(gè)模擬IC課程都會(huì)講這個(gè)例子，可是始終有人搞不清楚。
2021-01-25
偏置電流源電路
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為何時(shí)鐘信號比數(shù)據(jù)信號更容易引起輻射超標(biāo)？
一般這種問題，我們都會(huì)說是時(shí)鐘線引起的問題。我之前做的產(chǎn)品是攝像頭，時(shí)鐘線加十幾根數(shù)據(jù)線。有一次處理完時(shí)鐘線后還是超標(biāo)，因?yàn)檎脭?shù)據(jù)線上都串有電阻，我就將電阻都改成了磁珠，想消除因?yàn)閿?shù)據(jù)線引起的輻射，改完之后發(fā)現(xiàn)還是超標(biāo)，看不到有明顯的改善。
2021-01-25
時(shí)鐘信號 數(shù)據(jù)信號 輻射超標(biāo)
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全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET
FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2021-01-25
全包圍柵極結(jié)構(gòu) FinFET
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非蜂窩也有春天：LoRa/WiFi/藍(lán)牙的2020年
上周，物聯(lián)傳媒公眾號發(fā)布了一篇《解鎖12億小目標(biāo)之后，移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的增速將如何持續(xù)？ 》的文章，主要從NB-IoT、Cat.1、5G三方面介紹了過去一年或者更久以來移動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)所取得的成績。
2021-01-22
非蜂窩 LoRa WiFi 藍(lán)牙
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DDR5信號完整性基礎(chǔ)
2020年7月，DDR 5新標(biāo)準(zhǔn)誕生，令人興奮的DDR5技術(shù)保證了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。這是接口設(shè)計(jì)人員熟悉的承諾。但是，就像生活中的大多數(shù)事情一樣，沒有免費(fèi)的午餐。降低功耗和提高速度的進(jìn)步伴隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性的增加。
2021-01-22
DDR5 信號完整性
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