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從4個到256個通道,GaN技術(shù)如何創(chuàng)新5G基站系統(tǒng)的緊湊設(shè)計
電子系統(tǒng)工程師們正在適應(yīng)5G基站設(shè)計領(lǐng)域的重大變革;包括發(fā)射/接收通道的數(shù)量從4個激增至高達(dá)256個。同時,這些基站的頻率范圍也有所提升,從原先的1GHz擴(kuò)展到現(xiàn)在的3-4GHz,并有望達(dá)到7GHz。隨著更多通道的引入(如上述256個收發(fā)通道這樣的配置),對既高效又具備精確信號能力的功率放大器的需求...
2024-05-17
通道 GaN技術(shù) 5G基站系統(tǒng)
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RSC6218A LLC諧振電源案例分享
開關(guān)電源的開關(guān)特性會使電源的MOS與變壓器產(chǎn)生電磁兼容方面的干擾,優(yōu)秀的PCB Layout可以解決電磁兼容問題,同時也可有效避免干擾源的擴(kuò)大;如圖結(jié)合實例說明RSC6218A系列LLC諧振電源方案PCB的設(shè)計要點,提升LLC諧振方案的穩(wěn)定性。
2024-05-16
RSC6218A LC諧振電源
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羅姆:先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
隨著向無碳社會的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢?,對不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進(jìn)一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工...
2024-05-16
羅姆 半導(dǎo)體功率元器件 模擬IC 工業(yè)用能源設(shè)備
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掌握幾個技巧 降低運(yùn)放電路中的功耗!
為了了解運(yùn)算放大器電路中的功耗問題,我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗之間的關(guān)系。
2024-05-14
運(yùn)放電路
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抓住JESD204B接口功能的關(guān)鍵問題
JESD204B是最近批準(zhǔn)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn),用于轉(zhuǎn)換器與數(shù)字處理器件之間的串行數(shù)據(jù)接口。它是第三代標(biāo)準(zhǔn),解決了先前版本的 一些缺陷。該接口的優(yōu)勢包括:數(shù)據(jù)接口路由所需電路板空間更少,建立與保持時序要求更低,以及轉(zhuǎn)換器和邏輯器件的封裝更小。多家供應(yīng)商的新型模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用此接口,例如ADI的 ...
2024-05-14
JESD204B 接口功能
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如何使用帶有I2C和SPI解碼的示波器排查系統(tǒng)問題
大多數(shù)基于微控制器的設(shè)計都使用I2C或SPI,或兩者兼用,來實現(xiàn)控制器之間以及控制器與外圍芯片之間的通信。當(dāng)芯片發(fā)送特定的I2C或SPI數(shù)據(jù)包時,能夠看到嵌入式系統(tǒng)內(nèi)部的操作對于排除故障至關(guān)重要。許多管理相對較慢參數(shù)的芯片,如溫度傳感器、電機(jī)控制器、人機(jī)界面或電源管理等,都將這些總線作為...
2024-05-14
I2C SPI解碼 示波器
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Boost電路的CCM模式與DCM模式
Boost升壓電路,可以工作在電流斷續(xù)工作模式(DCM)和電流連續(xù)工作模式(CCM)。CCM工作模式適合大功率輸出電路,電感電流需保持連續(xù)狀態(tài),因此,按CCM工作模式來進(jìn)行特性分析。不管哪種拓?fù)?,其CCM和DCM的定義,是一樣的。
2024-05-14
Boost電路的CCM模式與DCM模式
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MOS管被擊穿的原因及解決方案
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
2024-05-14
MOS管
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雙管反激240W USB PD3.1 EPR設(shè)計要點
雙管反激QR變換器架構(gòu)很好地解決了前面提到的難題,雙管反激QR變換器可以輸出很寬的電壓范圍,通過合理的選擇變壓器匝比,可以使初級的雙開關(guān)近似工作在ZVS開通,同時高匝比的應(yīng)用也使得初級的電流減小,開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗得以減少,后級同步整流管可以使用常用的120V的MOSFET,降低了整體成本。
2024-05-14
雙管反激 EPR設(shè)計
- 5mW待機(jī)功耗突圍戰(zhàn)!AC-DC電源待機(jī)功耗逼近物理極限
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