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意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度
隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時(shí)，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會(huì)隨之變大，嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝...
2024-04-03
意法半導(dǎo)體 肖特基整流二極管
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揭秘電壓基準(zhǔn)源：如何選擇才能確保電子系統(tǒng)穩(wěn)定如初？
高精度電壓基準(zhǔn)源是眾多電子設(shè)備和系統(tǒng)的重要組件，其性能的優(yōu)劣直接影響整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。除了高精度這一特性之外，低溫漂、低噪聲、低功耗等特性同樣是電壓基準(zhǔn)源在應(yīng)對(duì)各類電子設(shè)備日益嚴(yán)苛要求時(shí)的必備要素。
2024-04-03
電壓基準(zhǔn)源 電子系統(tǒng)
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實(shí)現(xiàn)高降壓比的三種緊湊型解決方案
本文將闡述為何非隔離式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器（在本文中簡(jiǎn)稱為降壓轉(zhuǎn)換器）在高輸出電流下將高DC輸入電壓轉(zhuǎn)換為很低的輸出電壓時(shí)會(huì)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并介紹可以實(shí)現(xiàn)高降壓比，同時(shí)保持小尺寸的三種不同方法。
2024-04-03
DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器
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自適應(yīng)能量采集PMIC有助于構(gòu)建環(huán)保的自動(dòng)互聯(lián)設(shè)備
人們常提議利用環(huán)境能量采集技術(shù)為遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電池充電，但這種技術(shù)尚未普及。本博客探討了導(dǎo)致這一情況的原因，并介紹了Nexperia（安世半導(dǎo)體）的創(chuàng)新型電源管理集成電路(PMIC)，該集成電路將從根本上提高能量采集的可行性，且環(huán)境效益顯著。
2024-04-03
能量 PMIC 環(huán)保 自動(dòng)互聯(lián)設(shè)備
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基于RTC的低功耗精準(zhǔn)時(shí)鐘同步
時(shí)鐘同步的應(yīng)用廣泛，但常規(guī)的時(shí)鐘同步方案或?qū)K端設(shè)備要求高，或原理相對(duì)復(fù)雜。對(duì)此，本文利用大普的RTC秒上升沿即時(shí)生效原理，設(shè)計(jì)一種低功耗、高精確時(shí)鐘同步方案。
2024-04-03
RTC 時(shí)鐘
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利用雙MOSFET最大限度地提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
工業(yè)和汽車開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。
2024-03-29
雙MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換器
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光的波長(zhǎng)對(duì)視覺成像性能的影響
當(dāng)光穿過介質(zhì)（玻璃、水、空氣等）時(shí)，不同的波長(zhǎng)會(huì)以不同的角度彎曲。這通常是在陽光穿過棱鏡并產(chǎn)生彩虹效果時(shí)觀察到的；較短的波長(zhǎng)比較長(zhǎng)的波長(zhǎng)彎曲得更多。當(dāng)試圖在成像系統(tǒng)中解析細(xì)節(jié)和獲取信息時(shí)，同樣的情形會(huì)產(chǎn)生問題。
2024-03-29
波長(zhǎng) 視覺成像
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如何為您的PCB選擇正確的阻焊層厚度和類型
在研究電路板時(shí)，特別是作為電子行業(yè)的初學(xué)者，我總會(huì)好奇為什么 PCB 的頂層是綠色的。答案各有不同，但每個(gè)人都同意一件事：阻焊層有助于檢查，為導(dǎo)體提供保護(hù)，并防止手工裝配過程中的視覺疲勞。各種 PCB 阻焊層類型在應(yīng)用方式、成分以及價(jià)格方面各不相同。
2024-03-28
PCB 阻焊層
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【測(cè)試解讀】ESD保護(hù)設(shè)計(jì)中的傳輸線脈沖TLP，怎么測(cè)？
隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、集成度高、運(yùn)算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點(diǎn)，這也導(dǎo)致了這類器件對(duì)靜電的要求越來越高。
2024-03-27
測(cè)試 ESD保護(hù) 脈沖TLP
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