產(chǎn)品特性：
- 采用IR最新一代的溝道技術(shù)，低導(dǎo)通電阻
- 擁有充分表征的崩潰電壓和電流
- 獲得了工業(yè)級(jí)及一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證
- 非常低的柵極電荷
- 不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具
- ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用
這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過(guò)非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長(zhǎng)不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。
IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“新器件能夠提供最佳性?xún)r(jià)比。此外，通過(guò)提供四個(gè)等級(jí)的RDS(on) 及將Qg保持在30V的水平，新器件可讓設(shè)計(jì)工程師靈活地選擇最適合的器件，來(lái)配合其設(shè)計(jì)的規(guī)范和要求。”
新款MOSFET擁有充分表征的崩潰電壓和電流。隨著IR對(duì)這些基準(zhǔn)MOSFET的持續(xù)開(kāi)發(fā)，它們將可以作為現(xiàn)有30V TO-220器件的直接替代品或升級(jí)品。
新器件獲得了工業(yè)級(jí)及一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證。這些30V MOSFET采用TO-220封裝，皆為無(wú)鉛設(shè)計(jì)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。
產(chǎn)品的基本規(guī)格：
|
器件編號(hào) |
封裝 |
|
RDS(on) |
ID @ TC |
典型Qg (nC) |
典型Qgd (nC) |
||
|
VBRDSS (V) |
@ 4.5V (mOhms) |
@ 10V (mOhms) |
25°C (A) |
100°C (A) |
||||
|
IRLB8721PbF |
TO-220AB |
30 |
4.5 |
8.7 |
62 |
44 |
7.6 |
3.4 |
|
IRLB8743PbF |
TO-220AB |
30 |
4.2 |
3.2 |
150 |
110 |
36 |
13 |
|
IRLB8748PbF |
TO-220AB |
30 |
6.8 |
4.8 |
92 |
65 |
15 |
5.9 |
|
IRLB3813PbF |
TO-220AB |
30 |
2.6 |
1.95 |
260 |
190 |
57 |
19 |
