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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導(dǎo)體 開關(guān) 外殼
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變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景展望
本文講了變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展概況，變頻調(diào)速技術(shù)國內(nèi)外現(xiàn)狀以及變頻調(diào)速未來的發(fā)展方向。
2008-10-23
變頻調(diào)速 現(xiàn)狀 發(fā)展 變頻器
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變頻技術(shù)在設(shè)備改造中的應(yīng)用
本文主要講了SGZ1000-N 型三足式全自動下部卸料離心機的改造，采用變頻器對離心機的電動機進行控制。
2008-10-23
變頻器 調(diào)速 輸出頻率
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高壓大功率變頻器在長輸管道上的應(yīng)用
高壓大功率的大型變頻器在長輸管道輸油生產(chǎn)過程中應(yīng)用可以節(jié)省電力，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，本文介紹了秦京線的應(yīng)用實例。
2008-10-23
變頻器 長輸管道 節(jié)能
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高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關(guān)和接地開關(guān)選用的若干問題，包括：隔離開關(guān)開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關(guān)開合感應(yīng)電流、單柱垂直斷口隔離開關(guān)的額定接觸區(qū)、接地開關(guān)的短路持續(xù)時間和隔離開關(guān)的過載能力、接地開關(guān)的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關(guān) 接地開關(guān) 轉(zhuǎn)換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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廣交會機電產(chǎn)品成交降13% 歐美客戶狠壓價
機電歡喜紡織愁的出口走勢悄然變化，中國外貿(mào)額中占到半壁的機電產(chǎn)品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會昨日對外公布第104屆一期情況，機電產(chǎn)品成交不容樂觀。廣交會昨日公布的數(shù)據(jù)顯示，本屆廣交會第一期到會境外采購商共87305人，出口累計成交164.5億美元，其中機電產(chǎn)品139.2億美元，...
2008-10-22
機電
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西門子變頻器參數(shù)設(shè)置的探討
本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇，快速調(diào)試，加減速時間調(diào)整，以及轉(zhuǎn)動慣量設(shè)置。
2008-10-22
變頻器 控制方式 快速調(diào)試 加減速時間 轉(zhuǎn)動慣量
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用于軟起動器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機起動控制的三種方式，軟起動器對晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術(shù)以及SEMiSTAT模塊的技術(shù)指標(biāo)。
2008-10-22
電機 晶閘管 裝配 SEMiSTAT模塊
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
- 線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實踐
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