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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會(huì)展中心7號(hào)館圓滿(mǎn)落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)峰會(huì)，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個(gè)專(zhuān)業(yè)的交流平臺(tái)，聚集國(guó)內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者，聚焦重大前沿新興技術(shù)及產(chǎn)品、市場(chǎng)應(yīng)用以及供應(yīng)鏈發(fā)展變遷和趨勢(shì)，以此助推產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新穩(wěn)健發(fā)展。
2024-11-19
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貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書(shū)探討電子設(shè)計(jì)中的電源效率與穩(wěn)健性
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手推出一本新電子書(shū)，重點(diǎn)介紹優(yōu)化電源系統(tǒng)的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未來(lái)的供電：兼顧效率與穩(wěn)健性的先進(jìn)電源解決方案）這本電子書(shū)中，ADI和貿(mào)澤的主題專(zhuān)家對(duì)電源系統(tǒng)中的重要組件、架構(gòu)和應(yīng)用進(jìn)行了深入分析。
2024-11-15
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兆易創(chuàng)新MCU新品重磅揭幕，以多元產(chǎn)品和方案深度解鎖工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日在上海舉辦了以“勇躍?芯征程”為主題的新品發(fā)布會(huì)，來(lái)自工業(yè)和數(shù)字能源等領(lǐng)域的行業(yè)伙伴齊聚一堂，共襄盛舉。本發(fā)布會(huì)中，兆易創(chuàng)新展現(xiàn)了其在工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)字能源等領(lǐng)域的最新成果，不僅重磅揭幕了兩款MCU新品——EtherCAT?從站控制芯片和GD32G5系列Cortex?-M33內(nèi)核的高性能MCU，還同步推出一系列搭載全新MCU產(chǎn)品的電機(jī)控制和數(shù)字能源方案。與此同時(shí)，眾多合作伙伴也于發(fā)布會(huì)首次推出基于GD32 MCU的創(chuàng)新解決方案。這不僅彰顯了兆易創(chuàng)新在工業(yè)及數(shù)字能源領(lǐng)域的持續(xù)關(guān)注與堅(jiān)定承諾，也體現(xiàn)出公司與行業(yè)伙伴之間緊密的合作關(guān)系和堅(jiān)實(shí)的市場(chǎng)基礎(chǔ)。
2024-11-14
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
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采用能量收集技術(shù)為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)永續(xù)供電
許多無(wú)法連接市電的嵌入式系統(tǒng)通常會(huì)采用電池供電，但當(dāng)電池電量用完時(shí)，更換電池的維護(hù)成本相對(duì)較高，并造成相當(dāng)多的困擾，若能通過(guò)能量收集技術(shù)來(lái)為系統(tǒng)永續(xù)供電，便可解決這個(gè)問(wèn)題。本文將為您介紹如何利用能量收集技術(shù)來(lái)建立永久運(yùn)行的嵌入式系統(tǒng)，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相關(guān)解決方案。
2024-11-12
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）今日宣布美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會(huì)維持此前的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術(shù)專(zhuān)利。該相關(guān)專(zhuān)利對(duì)人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機(jī)器人、自動(dòng)駕駛以及其他許多技術(shù)的發(fā)展均至關(guān)重要。美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)英諾賽科）在未獲宜普公司授權(quán)的情況下將相關(guān)氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)口至美國(guó)。
2024-11-11
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高精度時(shí)間管理，賦能汽車(chē)電子新體驗(yàn)
瑞士微晶Micro Crystal是全球領(lǐng)先的高精度石英晶體和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊（RTC）制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子領(lǐng)域，憑借高穩(wěn)定性和低功耗特性，在各類(lèi)汽車(chē)關(guān)鍵系統(tǒng)中為時(shí)間管理、同步控制及節(jié)能運(yùn)行提供了可靠的支持。瑞士微晶Micro Crystal的產(chǎn)品以卓越的質(zhì)量和性能，滿(mǎn)足了現(xiàn)代汽車(chē)對(duì)精準(zhǔn)計(jì)時(shí)和復(fù)雜系統(tǒng)同步的嚴(yán)格需求。
2024-11-11
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
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意法半導(dǎo)體生物感測(cè)創(chuàng)新技術(shù)賦能下一代智能穿戴個(gè)人醫(yī)療健身設(shè)備
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運(yùn)動(dòng)手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設(shè)備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的慣性傳感器和AI核心。其中，AI核心在芯片上執(zhí)行活動(dòng)檢測(cè)，確保運(yùn)動(dòng)跟蹤更快，功耗更低。
2024-11-08
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下一代汽車(chē)微控制器
意法半導(dǎo)體致力于幫助汽車(chē)行業(yè)應(yīng)對(duì)電氣化和數(shù)字化的挑戰(zhàn)，不僅提供現(xiàn)階段所需的解決方案，未來(lái)還提供更強(qiáng)大的統(tǒng)一的MCU平臺(tái)開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略，通過(guò)突破性創(chuàng)新支持下一代車(chē)輛架構(gòu)和軟件定義汽車(chē)的開(kāi)發(fā)。下面就讓意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部（MDRF）總裁Remi EL-OUAZZANE揭秘ST下一代汽車(chē)微控制器的戰(zhàn)略部署。
2024-11-08
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利用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的分立邏輯
開(kāi)發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機(jī)中的可配置邏輯模塊（CLB）外設(shè)實(shí)現(xiàn)硬件中復(fù)雜的分立邏輯功能，從而精簡(jiǎn)物料清單（BOM）并開(kāi)發(fā)定制專(zhuān)用邏輯。
2024-11-05
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第8講：SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)
SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長(zhǎng)方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡(jiǎn)要介紹其生產(chǎn)過(guò)程及注意事項(xiàng)。
2024-11-04
- 800V牽引逆變器：解鎖電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
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