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9款高能效溝槽型場(chǎng)截止IGBT
安森美擴(kuò)充高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開(kāi)關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，能為工程師在應(yīng)用其電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)提供更豐富的選擇。
2012-11-11
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安森美半導(dǎo)體新增九種高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N(xiāo)GBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開(kāi)關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專(zhuān)門(mén)針對(duì)太陽(yáng)能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。
2012-10-25
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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第三代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
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用IGBT實(shí)現(xiàn)高壓大功率變頻器
目前，高壓大功率變頻器是一個(gè)十分重要的應(yīng)用領(lǐng)域。而基于IGBT的變頻器其功率等級(jí)最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用IGBT就難以實(shí)現(xiàn)。目前，ABB等國(guó)際大公司均推出了基于IGBT的三電平變頻器。但在高壓大功率應(yīng)用條件下，三電平技術(shù)的可靠性在國(guó)內(nèi)還有待于提高。此外，高壓大功率變頻器的性能試驗(yàn)也是一個(gè)難題。
2012-10-25
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具有2.5A輸出電流的智能IGBT光電耦合驅(qū)動(dòng)器
飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了一款先進(jìn)的具有2.5A輸出電流能力的智能IGBT光電耦合驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，此器件具有一個(gè)集成式的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，其備有低RDS(ON) CMOS晶體管，能助力實(shí)現(xiàn)IGBT的軌至軌驅(qū)動(dòng)，適用于驅(qū)動(dòng)功率IGBT和MOSFET的快速開(kāi)關(guān)。
2012-10-22
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設(shè)計(jì)EPS應(yīng)急電源必須考慮的要素
EPS應(yīng)急電源可以說(shuō)是近兩年才迅猛發(fā)展起來(lái)的一個(gè)新興產(chǎn)業(yè)，相比于發(fā)展成熟的UPS而言，有相同之處，也有不同之處。其相同點(diǎn)在于都具備在市電故障(中斷)情況下繼續(xù)向負(fù)載提供交流電源的功能，均采用了IGBT逆變技術(shù)和脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)。
2012-10-22
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針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的600V超高速溝道IGBT
IR公司新推出600V超高速溝道IGBT，該器件可大幅降低開(kāi)關(guān)與導(dǎo)通損耗，在更高頻率下可提升功率密度和效率。并具有6A額定電流及不小于 5μs的最低短路額定值，適用于廣泛的開(kāi)關(guān)頻率，最高達(dá)20kHz。
2012-10-19
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導(dǎo)通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴(kuò)展其N(xiāo)PT IGBT產(chǎn)品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產(chǎn)品。相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開(kāi)關(guān)性能，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率的高性能開(kāi)關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷開(kāi)關(guān)電源。
2012-09-13
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發(fā)力電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，飛兆半導(dǎo)體推最新IGBT
此次，飛兆半導(dǎo)體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過(guò)低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿(mǎn)足嚴(yán)格的能效指標(biāo)。
2012-09-10
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簡(jiǎn)單實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過(guò)流保護(hù)
盡管功率場(chǎng)效應(yīng)VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導(dǎo)體元器件層出不窮，且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要位置，晶閘管（可控硅） 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性，仍有著穩(wěn)固的陣地，受到用戶(hù)的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個(gè)環(huán)節(jié)的情況下，將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運(yùn)算放大器，就可實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過(guò)流及短路保護(hù)，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并提高了整機(jī)的穩(wěn)定可靠性能和AC - DC變換效率。
2012-08-29
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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開(kāi)關(guān)損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開(kāi)關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開(kāi)關(guān)頻率。設(shè)計(jì)人員可在不增加太陽(yáng)能逆變器體積的情況下，實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率。
2012-06-21
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羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達(dá)到50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率
2012-06-18
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