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Hittite推極低噪聲線性穩(wěn)壓器
Hittite Microwave公司推出一款低噪聲，高電源抑制比，四路輸出的線性穩(wěn)壓器HMC860LP3E。該產(chǎn)品具有低噪聲的帶隙參考……
2010-02-08
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電源中的負載管理與負載開關(guān)設(shè)計與實現(xiàn)
電源給各個電路供電，各個電路就是電源的"負載"。例如發(fā)射電路及接收電路是電源的負載，功率放大電路也是電源的負載。另外，電源的負載還包括一些器件（如LED）或一些其他產(chǎn)品（如硬盤、直流電動機等）。多功能的便攜式電子產(chǎn)品有很多功能電路組成，隨著工作電壓的不同，對電源的要求也不相同，因此有多個電源。要實現(xiàn)負載管理并不容易，現(xiàn)代的負載管理是由微處理器、電源管理IC及負載開關(guān)組成。本文介紹電源中的負載管理與負載開關(guān)設(shè)計與實現(xiàn)。
2010-02-08
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友達光電用氧化物TFT開發(fā)出37英寸全高清液晶面板
臺灣友達光電（AU OptronicsAUO）用基于透明非晶氧化物半導體（TAOS）的TFT（TAOS-TFT）試制出了全高清（1920×1080像素）37英寸液晶面板……
2010-02-04
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力科WaveMaster 8Zi示波器榮贗Electronics Design 09年度“Best in Test”
測試設(shè)備供應商每年都改進之前的示波器，2009也不例外。力科WaveMaster 8 Zi系列數(shù)字示波器，串行數(shù)據(jù)分析員，磁盤驅(qū)動器分析儀是力科最大帶寬、最快的實時示波器，提供了80GS/s采樣率，512Mpts的分析深度和15GHz以上的邊沿觸發(fā)帶寬。
2010-02-04
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Vishay Siliconix 發(fā)布4款600V MOSFET SiHx22N60S
Vishay 推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-02-04
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California Micro Devices推出超低電容的ESD器件CM1227
California Micro Devices推出超低電容的ESD器件CM1227，PicoGuard CM1227 ESD器件超低通道輸入電容為0.35pF，適合用于高速數(shù)字消費電子應用中。該器件可提供4個通道的±15kV接觸ESD保護，超過了IEC61000-4-2 4級標準。
2010-02-02
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飛兆半導體榮獲泉峰集團之合作伙伴獎項
專業(yè)提供可提升 能效 的高性能產(chǎn)品全球領(lǐng)先供應商 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)宣布，獲得國內(nèi)頂級電動工具制造商泉峰集團 (Chervon Group) 所頒發(fā)的合作伙伴獎項。
2010-02-02
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SIMPLE SWITCHER：美國國家半導體推出全新電源模塊
美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出全新SIMPLE SWITCHER 電源|穩(wěn)壓器模塊系列的前三款產(chǎn)品。該系列全新的高集成度電源模產(chǎn)品以LMZ為代號，其優(yōu)點是易于使用，能夠節(jié)省工程師的設(shè)計時間，從而加快產(chǎn)品上市進程。由于此系列電源模塊內(nèi)置高效率的同步開關(guān)穩(wěn)壓器及簡易線性穩(wěn)壓器，因此無需像開關(guān)穩(wěn)壓器那樣需要額外加設(shè)外置電感器，系統(tǒng)的線路布局更加簡單。美國國家半導體將在二零一零年內(nèi)陸續(xù)推出 SIMPLE SWITCHER 電源模塊系列其他型號的產(chǎn)品。
2010-02-02
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iCharge DX：日本廠商推出便攜式太陽能充電器
由日本周邊廠商Linksinternational推出一款便攜式太陽能充電器“iCharge DX”，這款多功能充電器適用于各種主機，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各種便攜式電子設(shè)備。
2010-02-01
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力科眼圖醫(yī)生與HSPICE仿真的對比研究
本文使用力科示波器的眼圖醫(yī)生軟件和Synopsys公司的HSPICE仿真同一個背板系統(tǒng)，并把兩種方法的仿真結(jié)果和實際測試波形對比，分析和驗證了兩種方法的精度與優(yōu)缺點，對于高速背板設(shè)計提供了新的思路。
2010-02-01
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意法半導體發(fā)布封裝尺寸僅2mm×2mm的3軸加速度傳感器
意法半導體（STMicroelectronics）發(fā)布了實現(xiàn)小型化及低耗電的3軸MEMS加速度傳感器。封裝尺寸為2mm×2mm，達到了業(yè)界最高水平。耗電量最小可減至數(shù)μA以下。主要用于手機等要求小尺寸、低耗電的消費類電子設(shè)備。
2010-01-29
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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