-
爾必達(dá)破產(chǎn)勢(shì)必推升DRAM價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入
據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲(chǔ)研究報(bào)告，日本爾必達(dá)本周申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，將有利于DRAM市場(chǎng)中剩余的其它廠商，因?yàn)榇伺e將導(dǎo)致今年下半年供應(yīng)減少、提振價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入。
2012-03-12
-
爾必達(dá)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù) 臺(tái)廠將面對(duì)三星更強(qiáng)力挑戰(zhàn)
DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，受DRAM價(jià)格自2011年第1季持續(xù)性下滑影響，加上日?qǐng)A匯率亦持續(xù)升值加重成本負(fù)擔(dān)，全球第3大DRAM供貨商爾必達(dá)(Elpida)在歷經(jīng)連續(xù)5季虧損后，終于無(wú)法支撐，于2012年2月27日無(wú)預(yù)警申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，并將進(jìn)行重整。
2012-03-02
-
2012年P(guān)C成長(zhǎng)或達(dá)5.4% Ultrabook是成長(zhǎng)動(dòng)能
近日，根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange分析指出，今年P(guān)C成長(zhǎng)率將來(lái)到5.4%，其中Ultrabook市占率將達(dá)到10%。隨著英特爾主導(dǎo)的供應(yīng)鏈于2012年日趨成熟，低價(jià)Ultrabook的崛起將成為2012年P(guān)C的主要成長(zhǎng)動(dòng)能。
2012-02-29
-
2012年平板計(jì)算機(jī)銷量上看億萬(wàn)臺(tái) iPad市占將維持60%左右
在蘋(píng)果的iPad 3即上市的的之際，2012年平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)才算正式開(kāi)打，根據(jù)產(chǎn)業(yè)研究機(jī)集邦科技(TrendForce)統(tǒng)合旗下WitsView(面板)、DRAMeXchange(NAND Flash)的研究數(shù)據(jù)，預(yù)估在2012年時(shí)全球平板計(jì)算機(jī)銷量將可望達(dá)到9,400萬(wàn)臺(tái)，比起2011年的6,200萬(wàn)臺(tái)，年成長(zhǎng)達(dá)53.1%。
2012-02-24
-
Nos-wifi的原理應(yīng)用
目前，在無(wú)線監(jiān)控、工業(yè)控制、視頻傳輸?shù)刃袠I(yè)應(yīng)用中，嵌入式無(wú)線系統(tǒng)主要采用以NORDIC解決方案為代表的無(wú)操作系統(tǒng)環(huán)境，該方案由“CPU+無(wú)線數(shù)傳模塊”構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)短距離低帶寬無(wú)線通信。但由于窄帶無(wú)線通信的技術(shù)所限，只能實(shí)現(xiàn)2Mbps的最大傳輸速率，對(duì)應(yīng)在實(shí)際視頻傳輸中，只能滿足10米內(nèi)320*240下小于15幀/秒的應(yīng)用。隨著市場(chǎng)對(duì)更大屏幕、更快的傳輸速率、更流暢的視頻效果的需求，這一解決方案將遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了人們的需求。系統(tǒng)升級(jí)需要WLAN這樣的寬帶無(wú)線傳輸設(shè)備，傳統(tǒng)的升級(jí)做法為在原有系統(tǒng)架構(gòu)下，增加Flash、SDRam，并運(yùn)行一套嵌入式操作系統(tǒng)來(lái)驅(qū)動(dòng)WLAN模塊，不但大大增加了系統(tǒng)成本，而且產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度增大，周期延長(zhǎng)，不利于新產(chǎn)品的推出。
2012-01-26
-
測(cè)試SDRAM控制器的PDMA
現(xiàn)代電子信息設(shè)備往往需要保存和處理大量的數(shù)字信息，一個(gè)高性能的Memory控制器可以大大提高系統(tǒng)的性能。在進(jìn)行SDRAM控制器的設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮很多因素，設(shè)計(jì)完成以后還要進(jìn)行多項(xiàng)測(cè)試看是否完全滿足所要求的各項(xiàng)性能，為此我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測(cè)試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個(gè)IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數(shù)據(jù)，采用多個(gè)PDMA通道同時(shí)訪問(wèn)Memory可以真實(shí)模擬SDRAM控制器在SoC環(huán)境中被多個(gè)IP隨機(jī)訪問(wèn)的情形。
2012-01-06
-
擴(kuò)展探頭帶寬以提高信號(hào)保真度
由于存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜和緊湊，數(shù)據(jù)速率越來(lái)越高，使用BGA探頭探測(cè)DDR DRAM越來(lái)越受歡迎并已成為一種需求。DDR3和DDR4數(shù)據(jù)速率從800MT/s增加到約3200MT/s。
2011-11-18
-
七月上旬DRAM合約均價(jià)直逼金融風(fēng)暴時(shí)期
根據(jù)集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，七月上旬合約價(jià)再度呈現(xiàn)下跌的價(jià)格走勢(shì)，DDR3 2GB及4GB合約均價(jià)分別在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各為7.25%與7.46%，此價(jià)格已經(jīng)逼近金融風(fēng)暴時(shí)期的最低價(jià)格水位，從市場(chǎng)面來(lái)觀察，由于三月日本地震過(guò)后，PC-OEM廠曾提升手上庫(kù)存水位，以防出貨發(fā)生斷煉危機(jī)，亦讓五月合約價(jià)格起漲最高至19美元，但由于全球市場(chǎng)對(duì)于下半年P(guān)C出貨數(shù)字趨向保守，PC-OEM廠亦紛紛調(diào)降出貨目標(biāo)，甚至六月部份合約客戶取消原本要進(jìn)貨的數(shù)量，調(diào)降目前高達(dá)4-6周左右的庫(kù)存水位，故七月上旬合約價(jià)方面，在PC-OEM客戶采購(gòu)意愿不高與DRAM廠有出貨壓力下，合約價(jià)格已轉(zhuǎn)為買(mǎi)方主導(dǎo)，上旬合約價(jià)一路下探至15.5美元價(jià)位，七月下旬合價(jià)格不排除將繼續(xù)探底。
2011-07-18
-
Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲(chǔ)器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
-
2011下半年NB市場(chǎng)將遭遇平板電腦正面沖突
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 調(diào)查，受到終端需求不振以及日本地震后對(duì)筆記本電腦(NB)供應(yīng)鏈產(chǎn)生的影響，第二季代工廠出貨不確定因素增加，盡管需求可能遞延至下半年，但下半年將與平板電腦的放量效應(yīng)正面沖突，預(yù)算排擠效應(yīng)將對(duì)NB成長(zhǎng)有所壓抑。
2011-04-13
-
日本地震影響電子元件供應(yīng)與價(jià)格
日本地震與海嘯可能導(dǎo)致某些電子元件嚴(yán)重短缺，進(jìn)而推動(dòng)這些元件的價(jià)格大幅上漲。雖然目前幾乎沒(méi)有關(guān)于電子工廠實(shí)際損失的報(bào)道，但運(yùn)輸與電力設(shè)施受到破壞將導(dǎo)致供應(yīng)中斷，造成元件供應(yīng)短缺和價(jià)格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
-
F-RAM會(huì)帶來(lái)RFID標(biāo)簽的革命嗎？
目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
- 電壓放大器：定義、原理與技術(shù)應(yīng)用全景解析
- 減排新突破！意法半導(dǎo)體新加坡工廠冷卻系統(tǒng)升級(jí)，護(hù)航可持續(xù)發(fā)展
- 低排放革命！貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破
- 基于龍芯1D的智能水表，無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)+NB-IoT遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)技術(shù)解析
- 工程師必看：晶振起振檢測(cè)全攻略
- 高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行
- 安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
- 晶振如何起振：深入解析石英晶體的壓電效應(yīng)
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
