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爾必達申請破產(chǎn)保護 臺廠將面對三星更強力挑戰(zhàn)

發(fā)布時間:2012-03-02

新聞事件:

  • 爾必達于2012年2月27日申請破產(chǎn)保護

事件影響:

  • 勢必會對全球DRAM市場版圖變化造成相當程度的改變
  • 將對臺灣半導(dǎo)體廠商帶來相當程度影響


DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析,受DRAM價格自2011年第1季持續(xù)性下滑影響,加上日圓匯率亦持續(xù)升值加重成本負擔(dān),全球第3大DRAM供貨商爾必達(Elpida)在歷經(jīng)連續(xù)5季虧損后,終于無法支撐,于2012年2月27日無預(yù)警申請破產(chǎn)保護,并將進行重整。

事實上,爾必達于2012年主流制程已由45奈米制程升級至38奈米制程,且20奈米制程也已近研發(fā)完成階段,原預(yù)計于2012年下半導(dǎo)入量產(chǎn),對于如TSV 3D IC等次世代DRAM技術(shù)研發(fā)亦不遺余力,制程技術(shù)水準更直逼三星電子(Samsung Electronics)。

柴煥欣分析,2011年爾必達于全球DRAM市場市場率達13%,Mobile DRAM全球市占率亦達17%,皆為全球第3,若此次爾必達經(jīng)過重整仍無法渡過難關(guān)而退出,勢必會對全球DRAM市場版圖變化造成相當程度的改變。

爾必達生產(chǎn)鏈遍布日本與臺灣兩地,其中,包括力晶、瑞晶皆為爾必達位于臺灣前段制程合作伙伴,而力成與華東科技則為爾必達后段封裝測試的合作伙伴。另外,晶圓代工大廠聯(lián)電亦與爾必達、力成策略聯(lián)盟,共同于TSV 3D IC技術(shù)進行研發(fā)。因此,爾必達若重整失敗,亦將對臺灣半導(dǎo)體廠商帶來相當程度影響。

申請破產(chǎn)保護一舉雖為爾必達防止資金鏈立即斷裂的緩兵之計,然而,無論爾必達能否重整成功,此舉將會對爾必達未來銷售與市占率造成不利影響,亦會對全球DRAM產(chǎn)業(yè)版圖造成變化。柴煥欣認為,最顯著影響即為2012年三星于全球DRAM市場市占率將有可能因此超過50%,不僅會讓三星對全球DRAM市場價格變化影響力提升,讓其它DRAM業(yè)者面臨苦戰(zhàn)外,同時亦會讓如華碩、宏碁等系統(tǒng)業(yè)者于DRAM成本受制于三星。

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