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柵極驅(qū)動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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單個IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
電動汽車、大型儲能電池組、家庭自動化、工業(yè)和電信電源都需要將高電壓轉(zhuǎn)換為±12V，以滿足為放大器、傳感器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和工業(yè)過程控制器供電的雙極性電源軌需求。所有這些系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)之一是構(gòu)建一個緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器，它的工作溫度范圍為-40°C至+125°C，這在汽車和其他高環(huán)境溫度應(yīng)用中尤為重要。
2025-01-03
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充電器 IC 中的動態(tài)電源路徑管理
本文討論動態(tài)電源路徑管理 (DPPM)，這是當(dāng)今常用的電源管理方案。 DPPM 控制環(huán)路根據(jù)輸入源電流的容量和負(fù)載電流的水平動態(tài)調(diào)節(jié)充電電流，以獲得給定源和系統(tǒng)負(fù)載的短充電時間。借助 DPPM，即使使用深度放電的電池，一旦應(yīng)用輸入源，系統(tǒng)也可以立即獲得電源。還討論了系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)方法。
2025-01-03
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貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書深入探討惡劣環(huán)境中的連接應(yīng)用
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Bel Group旗下的Cinch Connectivity Solutions合作推出全新電子書《Understanding Harsh Environments for Electronic Design》（了解惡劣環(huán)境中的電子設(shè)計(jì)）。Cinch是高品質(zhì)互連產(chǎn)品和定制解決方案的知名供應(yīng)商，其產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于滿足工業(yè)、航空航天、國防、5G和IoT等市場對惡劣環(huán)境應(yīng)用的需求。
2025-01-02
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機(jī)電繼電器的特性及其在信號切換中的選型和應(yīng)用
本文介紹了機(jī)電繼電器(EMR)在信號切換中的應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)了其出色的導(dǎo)通和關(guān)斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產(chǎn)品為例，介紹了如何選擇和應(yīng)用 EMR，包括繼電器類型、區(qū)別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準(zhǔn) IC 精度的高精度電阻，但基準(zhǔn)電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準(zhǔn)的溫度敏感性和輸出電壓誤差，但對電源變化的敏感性可能會影響其精度，特別是在必須在較寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的過程控制應(yīng)用中。
2024-12-31
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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機(jī)驅(qū)動器 IC
典型的有刷直流電機(jī)是一種非常方便但噪音很大的設(shè)備。電刷實(shí)現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機(jī)轉(zhuǎn)動。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開會導(dǎo)致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機(jī)的電路（通過標(biāo)準(zhǔn)傳導(dǎo)路徑）以及附近的組件（通過 EMI）。
2024-12-29
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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
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2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲技術(shù)升級已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級UFS 4.0推動行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來存儲鋪墊全新的技術(shù)可行性。
2024-12-27
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實(shí)例上加速下一代數(shù)據(jù)分析
數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實(shí)例實(shí)現(xiàn)集成，該實(shí)例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負(fù)載帶來了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經(jīng)理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認(rèn)可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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