3月12日，全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商鎧俠參展中國閃存市場峰會CFMS 2025/MemoryS 2025，在現(xiàn)場針對人工智能 AI應(yīng)用提出了全新的存儲解決方案，并預(yù)告了全新一代的QLC企業(yè)級與數(shù)據(jù)中心級SSD，以及下一代BiCS FLASH?，為云端計算、大模型加速，提供了高效、可靠的先進(jìn)存儲解決方案。
用QLC SSD滿足AI應(yīng)用
以DeepSeek為主的人工智能應(yīng)用正在推動企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心積極升級，在關(guān)注AI加速運算成本的同時，存儲密度和效能也已經(jīng)成為關(guān)注的對象。特別是隨著AI應(yīng)用增多，冷數(shù)據(jù)正在轉(zhuǎn)向溫數(shù)據(jù)，HDD已經(jīng)無法同時滿足高速讀寫和每年以EB級增長的數(shù)據(jù)需求，SSD發(fā)展成為了必然。
在企業(yè)級SSD解決方案中，QLC技術(shù)被認(rèn)為是能夠幫助服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心提升單位空間存儲密度的解決方案之一，第八代BiCS FLASH? 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH?的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。
鎧俠采用QLC技術(shù)的企業(yè)級SSD蓄勢待發(fā)，配合QLC技術(shù)，新一代鎧俠LC9系列可擁有高達(dá)122.88 TB容量，支持PCIe? 5.0、NVMeTM 2.0 ，采用雙端口設(shè)計，適用于密集型讀取、大模型加載、AI等應(yīng)用場景。
另外針對數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模計算環(huán)境，具備前瞻性EDSFF（Enterprise and Data Center Standard Form Factor）規(guī)范鎧俠XD8系列也已經(jīng)發(fā)布，E1.S的規(guī)格可以幫助數(shù)據(jù)中心在新的規(guī)范下提升存儲密度，可以充分滿足數(shù)據(jù)中心對AI高性能、高效率和高可擴展性的增長需求。
下一代BiCS FLASH?蓄勢待發(fā)
在積極推進(jìn)SSD解決方案的同時，鎧俠也放眼于未來的BiCS FLASH?規(guī)劃，基于CBA技術(shù)的下一代BiCS FLASH?已經(jīng)蓄勢待發(fā)，可以很好的兼顧每GB的產(chǎn)能、成本和性能，進(jìn)一步優(yōu)化存儲效率，幫助客戶獲得更優(yōu)秀的存儲解決方案。
下一代BiCS FLASH?將會獲得更快的4.8Gb/s速度相對第八代BiCS FLASH?提升33%，擁有332堆疊，位密度將大于29Gb/mm2，相對第八代BiCS FLASH?提升59%，并且數(shù)據(jù)輸出能效提升34%，為PCIe? 6.0和PCIe? 7.0做好準(zhǔn)備。
與此同時，量產(chǎn)的BiCS FLASH?技術(shù)也已經(jīng)與產(chǎn)品實現(xiàn)了優(yōu)秀的融合，在QLC UFS 4.0，車規(guī)級UFS 4.0以及移動端上展開應(yīng)用，為客戶提供了豐富的存儲解決方案。
在現(xiàn)場， “人工智能應(yīng)用需求的增長，給數(shù)據(jù)中心技術(shù)建設(shè)帶來了全新的挑戰(zhàn)，憑借先進(jìn)的NAND閃存技術(shù)和豐富的企業(yè)級產(chǎn)品經(jīng)驗，鎧俠提供的SSD產(chǎn)品可以提高數(shù)據(jù)中心的能效、存儲密度、性能和可靠性。同時鎧俠也將與中國客戶建立深度合作關(guān)系，為AI提供更為高效的存儲方案?！?鎧俠技術(shù)執(zhí)行官柳茂知（Shigenori Yanagi）說道。
鎧俠電子（中國）有限公司董事長兼總裁岡本成之對今年存儲行情充滿了信心：“DeepSeek成為全球范圍內(nèi)的熱點話題，給2025年發(fā)展提供了無限想象空間，相信整個行業(yè)在今年會隨著AI東風(fēng)闊步向前?！?/p>
在CFMS 2025現(xiàn)場分享的內(nèi)容僅僅是鎧俠技術(shù)規(guī)劃的一部分。鎧俠會持續(xù)推動先進(jìn)存儲技術(shù)研發(fā)，將技術(shù)與熱門應(yīng)用結(jié)合，并與中國客戶加深合作，共同推進(jìn)存儲行業(yè)的快速發(fā)展，為客戶提供高效、穩(wěn)定、可靠的存儲解決方案。
關(guān)于鎧俠
鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者，致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤（SSD）。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存，在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團(tuán)從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過提供產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)，為客戶創(chuàng)造選擇并為社會創(chuàng)造基于記憶的價值，以“記憶”提升世界。鎧俠的創(chuàng)新 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應(yīng)用的未來存儲方式，其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車、數(shù)據(jù)中心和生成式AI系統(tǒng)。
截至 2025 年 3 月 13 日。
*存儲容量：使用 1MB（1 兆字節(jié)）= 1,000,000（10 的 6 次方）字節(jié)、1GB（1 千兆字節(jié)）= 1,000,000,000（10 的 9 次方）字節(jié)和 1TB（1 太字節(jié)）= 1,000,000,000,000（10 的 12 次方）字節(jié)計算。但是，如果計算機操作系統(tǒng)使用 1GB = 1,073,741,824 （2 的 30 次方）字節(jié)作為硬盤容量的計算方法，則顯示的容量會小于硬盤容量。硬盤容量因文件大小、格式化、設(shè)置、軟件、操作系統(tǒng)和其他因素而異。
PCI-SIG 和 PCIe 是 PCI-SIG 的商標(biāo)。
*NVMe 是 NVM Express, Inc. 在美國或其他國家的注冊商標(biāo)或商標(biāo)。
*本文提及的其他產(chǎn)品和服務(wù)名稱可能是其各自公司的注冊商標(biāo)或商標(biāo)。
